О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1029UFDB-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 5.6A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@5A,4.5V 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN1029UFDB-7 系列 DMN1029UFDB
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
Консультация
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN4A06GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZXMN4A06GTA 系列 ZXMN4A06GTA
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
Консультация
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP26M7UFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 18A；40A 功率(Pd) 2.3W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,15A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP26M7UFG-7 系列 DMP26M7UFG
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
Консультация
2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002DWQ-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002DWQ-7-F 系列 2N7002DWQ
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
Консультация
DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3406L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 770mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG3406L-7 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-7.pdf
Консультация
DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH4008LPSQ-13
  • КорпусPowerDI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 14.4A；64.8A 功率(Pd) 2.99W；55.5W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.8mΩ@10A,10V 封装 PowerDI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMTH4008LPSQ-13 系列 DMTH4008LPSQ
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
Консультация
DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 7.1A 功率(Pd) 2.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP3056LSS-13 系列 DMP3056LSS
  • PDF DMP3056LSS-13.pdf
Консультация
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2005UFG-13
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 18.1A 功率(Pd) 1.05W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.6mΩ@4.5V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN2005UFG-13 系列 DMN2005UFG
  • PDF DMN2005UFG-13.pdf
Консультация
ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP3306FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 90mA 功率(Pd) 330mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZVP3306FTA 系列 ZVP3306FTA
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
Консультация
DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,7A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP3028LSD-13 系列 DMP3028LSD
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3738394041424344...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd