О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0L-13
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 310mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@300mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN30H4D0L-13 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-13.pdf
Консультация
ZVN3310A

ZVN3310A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3310A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA 电流 200mA 功率(Pd) 625mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@500mA,10V 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES ZVN3310A 系列 ZVN3310A
  • PDF ZVN3310A.pdf
Консультация
DMN2300U-7

DMN2300U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2300U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA 电流 1.24A 功率(Pd) 430mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN2300U-7 系列 DMN2300U
  • PDF DMN2300U-7.pdf
Консультация
BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84DWQ-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,1mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES BSS84DWQ-7 系列 BSS84DWQ
  • PDF BSS84DWQ-7.pdf
Консультация
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3730UFB4-7
  • КорпусX2-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA 电流 750mA 功率(Pd) 470mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@4.5V,200mA 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN3730UFB4-7 系列 DMN3730UFB4
  • PDF DMN3730UFB4-7.pdf
Консультация
DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 6.9A 功率(Pd) 2.5W 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP3056LSD-13 系列 DMP3056LSD
  • PDF DMP3056LSD-13.pdf
Консультация
DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG9926UDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 980mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG9926UDM-7 系列 DMG9926UDM
  • PDF DMG9926UDM-7.pdf
Консультация
DMP2045UFY4-7

DMP2045UFY4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2045UFY4-7
  • КорпусX2-DFN2015-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 670mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@4A,4.5V 封装 X2-DFN2015-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMP2045UFY4-7 系列 DMP2045UFY4
  • PDF DMP2045UFY4-7.pdf
Консультация
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 360mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMN53D0LDW-7 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-7.pdf
Консультация
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013UWQ-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 820mA 功率(Pd) 310mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES DMG1013UWQ-7 系列 DMG1013UWQ
  • PDF DMG1013UWQ-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3637383940414243...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd