Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.6A; 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,5A; 37mΩ@4.5V,3.6A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC1229UFDB-7 серия DMC1229UFDB
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UQ-7 серия DMG6968UQ
Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.5A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A корпус X2-DFN2015-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045UFY4-7 серия DMP1045UFY4
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.07A; 845mA мощность (Pd) 330mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1016UDW-7 серия DMG1016UDW
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.5A; 4.2A мощность (Pd) 1.2W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@7.4A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3025LSD-13 серия DMC3025LSD
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 900mA мощность (Pd) 400mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3731U-7 серия DMN3731U
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 850mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UDM-7 серия DMG6968UDM
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 22A; 100A мощность (Pd) 2.7W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.3mΩ@20A,10V корпус Power-DI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH43M8LPSQ-13 серия DMTH43M8LPSQ
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8Ω@10V,375mA корпус TO-92L-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP2110A серия ZVP2110A
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 510mA мощность (Pd) 700mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.4Ω@10V,200mA корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601DMK-7 серия DMN601DMK