О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
BSS123Q-7

BSS123Q-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123Q-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123Q-7 серия BSS123Q
  • PDF BSS123Q-7.pdf
Консультация
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6016LPSQ-13
  • КорпусPowerDI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.8A; 37A мощность (Pd) 37.5W; 2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V корпус PowerDI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6016LPSQ-13 серия DMTH6016LPSQ
  • PDF DMTH6016LPSQ-13.pdf
Консультация
DMP2004K-7

DMP2004K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 550mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004K-7 серия DMP2004K
  • PDF DMP2004K-7.pdf
Консультация
DMP6023LFGQ-13

DMP6023LFGQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LFGQ-13
  • КорпусPowerDI-3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус PowerDI-3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LFGQ-13 серия DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-13.pdf
Консультация
DMG2301LK-7

DMG2301LK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2301LK-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 840mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@4.5V,1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2301LK-7 серия DMG2301LK
  • PDF DMG2301LK-7.pdf
Консультация
DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4025LSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.9A мощность (Pd) 1.8W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4025LSD-13 серия DMP4025LSD
  • PDF DMP4025LSD-13.pdf
Консультация
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A17E6TA
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.3A мощность (Pd) 1.1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,1.4A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A17E6TA серия ZXMP10A17E6TA
  • PDF ZXMP10A17E6TA.pdf
Консультация
DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6018LPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 60A мощность (Pd) 113W; 2.6W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 18mΩ@17A,10V корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6018LPSQ-13 серия DMP6018LPSQ
  • PDF DMP6018LPSQ-13.pdf
Консультация
DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056LDM-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 1.25W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,5A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056LDM-7 серия DMP3056LDM
  • PDF DMP3056LDM-7.pdf
Консультация
2N7002H-7

2N7002H-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002H-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 170mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002H-7 серия 2N7002H
  • PDF 2N7002H-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2223242526272829...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd