О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2058UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 500mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@3A,10V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2058UW-7 系列 DMN2058UW
  • PDF DMN2058UW-7.pdf
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415UFY4Q-7
  • КорпусDFN-3(1.5x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 16V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 650mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4A,4.5V корпус DFN-3(1.5x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415UFY4Q-7 系列 DMG3415UFY4Q
  • PDF DMG3415UFY4Q-7.pdf
DMP3125L-7

DMP3125L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3125L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 650mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 95mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3125L-7 系列 DMP3125L
  • PDF DMP3125L-7.pdf
DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6110SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 1.2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 105mΩ@10V,4.5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SSD-13 系列 DMP6110SSD
  • PDF DMP6110SSD-13.pdf
DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 8.5A мощность (Pd) 1.3W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SPSQ-13 系列 DMP4015SPSQ
  • PDF DMP4015SPSQ-13.pdf
DMP2160UW-7

DMP2160UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 350mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UW-7 系列 DMP2160UW
  • PDF DMP2160UW-7.pdf
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1024UV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.38A мощность (Pd) 530mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1024UV-7 系列 DMG1024UV
  • PDF DMG1024UV-7.pdf
DMG3414U-7

DMG3414U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3414U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 780mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3414U-7 系列 DMG3414U
  • PDF DMG3414U-7.pdf
DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4065SQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 720mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.2A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4065SQ-7 系列 DMP4065SQ
  • PDF DMP4065SQ-7.pdf
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61P03FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.1A мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,600mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61P03FTA 系列 ZXM61P03FTA
  • PDF ZXM61P03FTA.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1819202122232425...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd