О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6016LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.2A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 18mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6016LSS-13 系列 DMT6016LSS
  • PDF DMT6016LSS-13.pdf
Консультация
ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A13FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@10V,900mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A13FTA 系列 ZXMP6A13FTA
  • PDF ZXMP6A13FTA.pdf
Консультация
BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123WQ-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123WQ-7-F 系列 BSS123WQ
  • PDF BSS123WQ-7-F.pdf
Консультация
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6601LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 3.8A；2.5A мощность (Pd) 850mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 55mΩ@3.4A,10V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6601LVT-7 系列 DMG6601LVT
  • PDF DMG6601LVT-7.pdf
Консультация
DMN2230U-7

DMN2230U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2230U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2A мощность (Pd) 600mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.5A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2230U-7 系列 DMN2230U
  • PDF DMN2230U-7.pdf
Консультация
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2300UFB4-7B
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.3A мощность (Pd) 500mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA корпус DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2300UFB4-7B 系列 DMN2300UFB4
  • PDF DMN2300UFB4-7B.pdf
Консультация
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT8012LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 44A мощность (Pd) 2.7W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT8012LK3-13 系列 DMT8012LK3
  • PDF DMT8012LK3-13.pdf
Консультация
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMNH6021SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 2.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMNH6021SK3Q-13 系列 DMNH6021SK3Q
  • PDF DMNH6021SK3Q-13.pdf
Консультация
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6016LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 7.6A мощность (Pd) 1.9W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 19.5mΩ@10V,10A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6016LSD-13 系列 DMTH6016LSD
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
Консультация
DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3404L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 780mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3404L-7 系列 DMG3404L
  • PDF DMG3404L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2324252627282930...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd