О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP4A16GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 6.4A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.8A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP4A16GTA 系列 ZXMP4A16GTA
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4206GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1A мощность (Pd) 2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206GTA 系列 ZVN4206GTA
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004TK-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 430mA мощность (Pd) 150mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.1Ω@4.5V,430mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004TK-7 系列 DMP2004TK
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84WQ-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 200mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84WQ-7-F 系列 BSS84WQ
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LQ-7 系列 DMN53D0LQ
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UW-7 系列 DMN62D0UW
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN67D7L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 570mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D7L-7 系列 DMN67D7L
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140LQ-7 系列 DMN6140LQ
  • PDF DMN6140LQ-7.pdf
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP7A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.6A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP7A17GTA 系列 ZXMP7A17GTA
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1019UVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 10.7A мощность (Pd) 1.73W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4.5V,9.7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019UVT-7 系列 DMN1019UVT
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2526272829303132...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd