О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302UKQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 660mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@3.6A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302UKQ-7 серия DMG2302UKQ
  • PDF DMG2302UKQ-7.pdf
Консультация
ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP7A17KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 2.11W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP7A17KTC серия ZXMP7A17KTC
  • PDF ZXMP7A17KTC.pdf
Консультация
DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035UVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035UVT-7 серия DMP2035UVT
  • PDF DMP2035UVT-7.pdf
Консультация
DMP610DL-7

DMP610DL-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP610DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 310mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP610DL-7 серия DMP610DL
  • PDF DMP610DL-7.pdf
Консультация
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H170SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 12A мощность (Pd) 42W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H170SK3-13 серия DMN10H170SK3
  • PDF DMN10H170SK3-13.pdf
Консультация
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1029SV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 500mA; 360mA мощность (Pd) 450mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@500mA,10V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1029SV-7 серия DMG1029SV
  • PDF DMG1029SV-7.pdf
Консультация
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 220mA мощность (Pd) 300mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LDW-7 серия DMN63D8LDW
  • PDF DMN63D8LDW-7.pdf
Консультация
ZVN4525GTA

ZVN4525GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4525GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 310mA мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4525GTA серия ZVN4525GTA
  • PDF ZVN4525GTA.pdf
Консультация
DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC6040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.1A; 3.1A мощность (Pd) 1.24W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@8A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC6040SSD-13 серия DMC6040SSD
  • PDF DMC6040SSD-13.pdf
Консультация
DMN2058U-7

DMN2058U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2058U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 1.13W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2058U-7 серия DMN2058U
  • PDF DMN2058U-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2122232425262728...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd