О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMN2004K-7

DMN2004K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 630mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004K-7 系列 DMN2004K
  • PDF DMN2004K-7.pdf
DMP4013LFG-7

DMP4013LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4013LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFG-7 系列 DMP4013LFG
  • PDF DMP4013LFG-7.pdf
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LDW-13
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 360mA мощность (Pd) 310mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LDW-13 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-13.pdf
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H4D2S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 270mA мощность (Pd) 380mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H4D2S-7 系列 DMP10H4D2S
  • PDF DMP10H4D2S-7.pdf
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4800LSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 7.5A мощность (Pd) 1.17W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4800LSD-13 系列 DMG4800LSD
  • PDF DMG4800LSD-13.pdf
DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4047SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 1.6W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.4A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047SK3-13 系列 DMP4047SK3
  • PDF DMP4047SK3-13.pdf
ZVN3310FTA

ZVN3310FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3310FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 100mA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3310FTA 系列 ZVN3310FTA
  • PDF ZVN3310FTA.pdf
DMP6185SE-13

DMP6185SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6185SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6185SE-13 系列 DMP6185SE
  • PDF DMP6185SE-13.pdf
BS170FTA

BS170FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS170FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 150uA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS170FTA 系列 BS170FTA
  • PDF BS170FTA.pdf
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6068LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6A мощность (Pd) 2.12W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068LK3-13 系列 DMN6068LK3
  • PDF DMN6068LK3-13.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2021222324252627...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd