О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3018SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 11A；35A мощность (Pd) 11A；35A канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@11.5A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3018SFV-7 系列 DMP3018SFV
  • PDF DMP3018SFV-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17GQTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GQTA 系列 ZXMP6A17GQTA
  • PDF ZXMP6A17GQTA.pdf
Консультация
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT4011LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 15.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT4011LFG-7 系列 DMT4011LFG
  • PDF DMT4011LFG-7.pdf
Консультация
DMP3160L-7

DMP3160L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3160L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 122mΩ@10V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3160L-7 系列 DMP3160L
  • PDF DMP3160L-7.pdf
Консультация
DMP3099L-13

DMP3099L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3099L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-13 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-13.pdf
Консультация
DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1005UFDF-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 26A мощность (Pd) 2.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,5A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1005UFDF-7 系列 DMP1005UFDF
  • PDF DMP1005UFDF-7.pdf
Консультация
ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N02FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 700mV@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,930mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N02FTA 系列 ZXM61N02FTA
  • PDF ZXM61N02FTA.pdf
Консультация
DMP3036SSD-13

DMP3036SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3036SSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.6A мощность (Pd) 1.2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3036SSD-13 系列 DMP3036SSD
  • PDF DMP3036SSD-13.pdf
Консультация
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H220LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 1.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@1.6A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220LQ-7 系列 DMN10H220LQ
  • PDF DMN10H220LQ-7.pdf
Консультация
2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002Q-7-F 系列 2N7002Q
  • PDF 2N7002Q-7-F.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 2425262728293031...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd