О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LW-13
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LW-13 系列 DMN63D8LW
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
Консультация
DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN5L06K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN5L06K-7 系列 DMN5L06K
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
Консультация
DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8003SPS-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 2.9W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,30A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8003SPS-13 系列 DMTH8003SPS
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
Консультация
BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138Q-7-F 系列 BSS138Q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
Консультация
DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSS-13 系列 DMP4015SSS
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
Консультация
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A13FQTA
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@600mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FQTA 系列 ZXMP10A13FQTA
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
Консультация
DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2400UV-13
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.03A；700mA мощность (Pd) 450mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@4.5V,200mA；700mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2400UV-13 系列 DMC2400UV
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
Консультация
DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2004DWK-7
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODESкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)系列DMC2004DWKтип монтажа SMTкорпус SOT-363-6пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAток 540mA；430mAмощность (Pd)250mW耐压20Vсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@4.5V,540mA；700mΩ@4.5V,430mAканал 1个N和1个P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
Консультация
BSS123TA

BSS123TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123TA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 360mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123TA 系列 BSS123TA
  • PDF BSS123TA.pdf
Консультация
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D9UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D9UW-7 系列 DMN61D9UW
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1920212223242526...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd