О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP45H4D9HK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4.7A мощность (Pd) 104W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H4D9HK3-13 серия DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
Консультация
DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LQ-7 серия DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
Консультация
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA ток 14A мощность (Pd) 1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3-13 серия DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
Консультация
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A07FTA серия ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
Консультация
DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3420U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 5.47A мощность (Pd) 740mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3420U-7 серия DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
Консультация
DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LFDE-13
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 660mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LFDE-13 серия DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
Консультация
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2307LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 760mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2307LQ-7 серия DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
Консультация
DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN4035L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A корпус  SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN4035L-7 серия DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
Консультация
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A; 23.6A мощность (Pd) 1.9W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SK3Q-13 серия DMPH6050SK3Q
  • PDF DMPH6050SK3Q-13.pdf
Консультация
DMP2240UDM-7

DMP2240UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2240UDM-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2A мощность (Pd) 600mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2240UDM-7 серия DMP2240UDM
  • PDF DMP2240UDM-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1718192021222324...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd