О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMP2200UDW-7

DMP2200UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2200UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 450mW канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 260mΩ@4.5V,880mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2200UDW-7 系列 DMP2200UDW
  • PDF DMP2200UDW-7.pdf
DMP6180SK3Q-13

DMP6180SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA ток 14A мощность (Pd) 1.7W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3Q-13 系列 DMP6180SK3Q
  • PDF DMP6180SK3Q-13.pdf
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.6A мощность (Pd) 1.8W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LE-13 系列 DMN3032LE
  • PDF DMN3032LE-13.pdf
BS250FTA

BS250FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 90mA мощность (Pd) 330mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250FTA 系列 BS250FTA
  • PDF BS250FTA.pdf
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6068SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068SE-13 系列 DMN6068SE
  • PDF DMN6068SE-13.pdf
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3190LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 1A мощность (Pd) 320mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 190mΩ@10V,1.3A корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3190LDW-7 系列 DMN3190LDW
  • PDF DMN3190LDW-7.pdf
DMN3042L-7

DMN3042L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3042L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 26.5mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3042L-7 系列 DMN3042L
  • PDF DMN3042L-7.pdf
DMP6023LSS-13

DMP6023LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.6A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LSS-13 系列 DMP6023LSS
  • PDF DMP6023LSS-13.pdf
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07FTA 系列 ZXMN10A07FTA
  • PDF ZXMN10A07FTA.pdf
DMP3068L-7

DMP3068L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3068L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@10V,4.2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3068L-7 系列 DMP3068L
  • PDF DMP3068L-7.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1617181920212223...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd