О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
STNXPDIODESNCEUTCCR HuajingMICRONECHIPLINKTI
Мультивыбор
Корпус：
TO-220SOT-23TO-220FPDPAKD2PAKTO-247TO-247-3TO-252TO-252-2(DPAK)TO-220F-3SOP-8SOT-223TO-252-2TO-220-3VDFN-8-PowerSO-8TO-252(DPAK)TO-263-2SOT-957AI2PAKFP(TO-281)SOIC-8TO-251(IPAK)SOT-23-3H2PAK-2PowerFLAT(5x6)TO-220FTO-251I2PAKIPAKTO-220FPAB-3PowerFLAT-8(5x6)SOT-323D2PAK(TO-263)TO-263PowerDI3333-8PowerVDFN-8SOT-23-6SOT-26TO-270-2TO-272-WB-4SOT-363PowerSO-10RFTO-247-4TO-270ABTO-220ABDFN-8(4.9x5.8)SOT-23-3LTO-220FP-3DPAK(TO-252)PowerFLAT(8x8)TOLLPowerSO-10SOT-502BSOT-563TO-247AC-3I2PAK(TO-262)TO-92-3DFN-8(5x6)DFN-8L(5x6)SOT-89SOT-89-3SOT-979ATO-270WB-4TO-92DFN-6(2x2)H2PAK-7NI-880PowerDI5060-8TO-263-3TO-281-3TO-3PFDFN2020-6H2PAK-6NI-780S-4LPLD-1.5WSOT-1826-1SOT-23-6LSOT-363-6TO-263-3(D2PAK)DFN-3(0.6x1)DFN-8L(3.3x3.3)IPAK(TO-251)NI-400S-2SPowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)SOT-502ASOT-539BSTAC177BTO-251-3(IPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-3PF-3H2PAKISOTOPM174NI-1230PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PLD-1.5Power-SO-10RFPowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT5x6SC-59SMDSOT-143BSOT-1731-1SOT-1787-1SOT-523SOT-523-3SOT-539ATO-220AB-3TO-251-3TO-263-8TO-272-2TO-LLTSOP-6TSSOP-8U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPVDFN-8X2-DFN1006-3D2PAK-7DFN-16(4x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN1006B-3HU3PAKM177NI-400NI-780-4NI-780S-4S2SOM-1230-4LOM-780-4PDFN-6(7x6.5)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerFLAT-5x6SOT-1110BSOT-1121BSOT-1130ASOT-1244BSOT-143RSOT-1732SOT-1736-2SOT-1800-4SOT-1811SOT-1827-1SOT-223-2TDFN-8-PowerTO-247LONGLEADSTO-262(I2PAK)TO-263-7TO-270-2-GULLTO-270WBL-16V-DFN3333-8WDFN-6-PowerX1-DFN1006-3X2-DFN2015-3D2PKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-16-EP(4x6)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6L(2x2)DFN-8(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8(5.1x6)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAK-3ESOP-8FDFN-8L(5x6)FLAT-5x6HiP247-3ITO-220AB-3LBBLFPAK-56LFPAK56,Power-SO8M174MRM177MRNI-1230-4LS2LNI-1230-4SNI-1230H-4SNI-360NI-360H-2SBNI-360HFOM-1230-4L2LOM-1230-6LOM-1230G-4LOM-780-2OM-780G-4LPDFN-6(4x4.5)PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerFLAT(2x2)PowerFLAT-12(5x5)PowerFLAT-5PowerFLAT-5(8x8)PowerFLAT-5x5PowerFLAT-5x6-8PowerFLAT-6(2x2)PowerFLAT-8HV(3.3x3.3)PowerFLAT-HV(8x8)PQFN-24-EP(8x8)PQFN-8(5x6)QFNSC-70-3SMBSMD-9PSOD-323SOIC-8-EPSOP-20SOP-8-4.0mmSOT-1110ASOT-1112ASOT-1130BSOT-1214BSOT-1228ASOT-1727SOT-1732-1SOT-1735SOT-1736SOT-1736-1SOT-1792-1SOT-1793SOT-1805-1SOT-1806SOT-1811-2SOT-1816-1SOT-1818-4SOT-1819-2SOT-1824-1SOT-1825-1SOT-1829SOT-1829-1SOT-1930-1SOT-1937-1SOT-1969-1SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23FSOT-426SOT-634ASOT-669SOT-89-3LSOT-922-1SOT-963SOT-963-6TO-220-3LTO-220F-1TO-220F1TO-236-3TO-247-3LTO-247-4LTO-263-6TO-263-7LTO-270WB-17TO-270WBG-15TO-270WBG-17TO-272-6TO-272-8TO-272WB-14TO-272WB-4TO-3P-3TO-92-2.5mmTO-92LTO-92L-3TSOT-26U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KVDFN-8-PowerPowerFLATX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)螺栓安装
Ещё ⤵Мультивыбор
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHT6016LFJ-13
  • КорпусDFN-12(4.5x5)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.8A мощность (Pd) 1.16W канал 4 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A корпус DFN-12(4.5x5) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHT6016LFJ-13 серия DMHT6016LFJ
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
Консультация
DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP510DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 310mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP510DL-7 серия DMP510DL
  • PDF DMP510DL-7.pdf
Консультация
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8L-7 серия DMN63D8L
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
Консультация
BS250P

BS250P-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250P
  • КорпусTO-92L
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус TO-92L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250P серия BS250P
  • PDF BS250P.pdf
Консультация
DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140L-7 серия DMN6140L
  • PDF DMN6140L-7.pdf
Консультация
2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002A-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@5V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002A-7 серия 2N7002A
  • PDF 2N7002A-7.pdf
Консультация
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN67D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 340mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D8L-7 серия DMN67D8L
  • PDF DMN67D8L-7.pdf
Консультация
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6602SVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 3.4A; 2.8A мощность (Pd) 840mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@3.1A,10V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6602SVT-7 серия DMG6602SVT
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
Консультация
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3009LDT-7
  • КорпусV-DFN3030-8K
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 1.2W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A корпус V-DFN3030-8K MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3009LDT-7 серия DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
Консультация
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP1320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 35mA мощность (Pd) 350mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,50A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP1320FTA серия ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
Консультация
Всего записей: 3112«Предыдущая1... 1516171819202122...312Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd