О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHT6016LFJ-13
  • КорпусDFN-12(4.5x5)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.8A мощность (Pd) 1.16W канал 4个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A корпус DFN-12(4.5x5) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHT6016LFJ-13 系列 DMHT6016LFJ
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP510DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 310mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP510DL-7 系列 DMP510DL
  • PDF DMP510DL-7.pdf
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8L-7 系列 DMN63D8L
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
BS250P

BS250P-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250P
  • КорпусTO-92L
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус TO-92L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250P 系列 BS250P
  • PDF BS250P.pdf
DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140L-7 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-7.pdf
2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002A-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@5V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002A-7 系列 2N7002A
  • PDF 2N7002A-7.pdf
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN67D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 340mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D8L-7 系列 DMN67D8L
  • PDF DMN67D8L-7.pdf
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6602SVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 3.4A;2.8A мощность (Pd) 840mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@3.1A,10V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6602SVT-7 系列 DMG6602SVT
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3009LDT-7
  • КорпусV-DFN3030-8K
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 1.2W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A корпус V-DFN3030-8K MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3009LDT-7 系列 DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP1320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 35mA мощность (Pd) 350mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,50A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP1320FTA 系列 ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1516171819202122...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd