О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN13H750S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 130V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 770mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@10V,2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN13H750S-7 系列 DMN13H750S
  • PDF DMN13H750S-7.pdf
DMP2165UW-7

DMP2165UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2165UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 500mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2165UW-7 系列 DMP2165UW
  • PDF DMP2165UW-7.pdf
DMG6968U-7

DMG6968U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6968U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968U-7 系列 DMG6968U
  • PDF DMG6968U-7.pdf
BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус  SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84DW-7-F 系列 BSS84DW
  • PDF BSS84DW-7-F.pdf
DMN2005K-7

DMN2005K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2005K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@100uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@2.7V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2005K-7 系列 DMN2005K
  • PDF DMN2005K-7.pdf
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GTA 系列 ZXMP6A17GTA
  • PDF ZXMP6A17GTA.pdf
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP3310FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 75mA мощность (Pd) 330mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20Ω@10V,150mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP3310FTA 系列 ZVP3310FTA
  • PDF ZVP3310FTA.pdf
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 820mA мощность (Pd) 310mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013UW-7 系列 DMG1013UW
  • PDF DMG1013UW-7.pdf
DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4047LFDE-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10V,4.4A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047LFDE-7 系列 DMP4047LFDE
  • PDF DMP4047LFDE-7.pdf
DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2022LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 10A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2022LSS-13 系列 DMP2022LSS
  • PDF DMP2022LSS-13.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1415161718192021...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd