О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
ZVN3320FTA

ZVN3320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 60mA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3320FTA 系列 ZVN3320FTA
  • PDF ZVN3320FTA.pdf
DMG2302U-7

DMG2302U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@50uA ток 4.2A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302U-7 系列 DMG2302U
  • PDF DMG2302U-7.pdf
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0L-7 系列 DMN53D0L
  • PDF DMN53D0L-7.pdf
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UT-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UT-7 系列 DMN26D0UT
  • PDF DMN26D0UT-7.pdf
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N03FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,910mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03FTA 系列 ZXM61N03FTA
  • PDF ZXM61N03FTA.pdf
DMP2045U-7

DMP2045U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 800mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2045U-7 系列 DMP2045U
  • PDF DMP2045U-7.pdf
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус  SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123W-7-F 系列 BSS123W
  • PDF BSS123W-7-F.pdf
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN24H3D5L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 240V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 480mA мощность (Pd) 760mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN24H3D5L-7 系列 DMN24H3D5L
  • PDF DMN24H3D5L-7.pdf
DMP4015SK3Q-13

DMP4015SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 14A;35A мощность (Pd) 3.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SK3Q-13 系列 DMP4015SK3Q
  • PDF DMP4015SK3Q-13.pdf
DMG1013T-7

DMG1013T-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013T-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 460mA мощность (Pd) 270mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@4.5V,350mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013T-7 系列 DMG1013T
  • PDF DMG1013T-7.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1314151617181920...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd