О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 310mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0L-7 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3402L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3402L-7 系列 DMG3402L
  • PDF DMG3402L-7.pdf
DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3023L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 900mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3023L-7 系列 DMN3023L
  • PDF DMN3023L-7.pdf
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H400SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 9A мощность (Pd) 42W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 240mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SK3-13 系列 DMP10H400SK3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2056U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 940mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2056U-7 系列 DMN2056U
  • PDF DMN2056U-7.pdf
DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2305U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2305U-7 系列 DMP2305U
  • PDF DMP2305U-7.pdf
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1019USN-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 9.3A мощность (Pd) 680mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4V,9.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019USN-7 系列 DMN1019USN
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2120U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 800mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 62mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2120U-7 系列 DMP2120U
  • PDF DMP2120U-7.pdf
DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 900mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415UQ-7 系列 DMG3415UQ
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC3025LSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A;4.2A мощность (Pd) 1.5W канал 2个N和2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC3025LSD-13 系列 DMHC3025LSD
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 1213141516171819...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd