О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP026N10

NCEP026N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP026N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - 电流 200A мощность (Pd)  300W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10
  • PDF NCEP026N10.pdf
Консультация
NCE65TF180T

NCE65TF180T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA 电流 21A мощность (Pd)  188W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180T
  • PDF NCE65TF180T.pdf
Консультация
NCE30D0808J

NCE30D0808J-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D0808J
  • КорпусDFN-6-EP(2x2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - 电流 7.7A мощность (Pd)  2W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 25mΩ @ VGS=10V корпус DFN-6-EP(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D0808J
  • PDF NCE30D0808J.pdf
Консультация
NCEP85T14

NCEP85T14-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T14
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 140A мощность (Pd)  200W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ@10V,70A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T14
  • PDF NCEP85T14.pdf
Консультация
NCEP12T12D

NCEP12T12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12T12D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение - 电流 129A мощность (Pd)  185W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12T12D
  • PDF NCEP12T12D.pdf
Консультация
NCEP01T11

NCEP01T11-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T11
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA 电流 108A мощность (Pd)  160W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,50A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T11
  • PDF NCEP01T11.pdf
Консультация
NCE30H15

NCE30H15-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H15
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA 电流 150A мощность (Pd)  130W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H15
  • PDF NCE30H15.pdf
Консультация
NCE30ND09S

NCE30ND09S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30ND09S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - 电流 9A мощность (Pd)  2W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30ND09S
  • PDF NCE30ND09S.pdf
Консультация
NCEP015N30GU

NCEP015N30GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP015N30GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - 电流 170A мощность (Pd)  95W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP015N30GU
  • PDF NCEP015N30GU.pdf
Консультация
NCE30H10AK

NCE30H10AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H10AK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - 电流 100A мощность (Pd)  110W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.2mΩ) корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10AK
  • PDF NCE30H10AK.pdf
Консультация
NCEP02580

NCEP02580-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02580
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 250V пороговое напряжение - 电流 80A мощность (Pd)  300W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 18.5mΩ @ VGS=10V корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02580
  • PDF NCEP02580.pdf
Консультация
NCE70T680F

NCE70T680F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T680F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 7A мощность (Pd)  31.4W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 680mΩ@10V,3.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T680F
  • PDF NCE70T680F.pdf
Консультация
NCE0117I

NCE0117I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0117I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 1.8V@250uA 电流 17A мощность (Pd)  55W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 56mΩ@10V,5A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117I
  • PDF NCE0117I.pdf
Консультация
NCE0125AI

NCE0125AI-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0125AI
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - 电流 25A мощность (Pd)  70W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 36mΩ @ VGS=10V (Typ:31 mΩ) корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0125AI
  • PDF NCE0125AI.pdf
Консультация
NCE30H14K

NCE30H14K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H14K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA 电流 140A мощность (Pd)  130W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 2.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H14K
  • PDF NCE30H14K.pdf
Консультация
NCEP85T15

NCEP85T15-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T15
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 3.2V@250uA 电流 150A мощность (Pd)  210W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 3.2mΩ@10V,75A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T15
  • PDF NCEP85T15.pdf
Консультация
NCE65T1K2I

NCE65T1K2I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2I
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 4A мощность (Pd)  41W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2I
  • PDF NCE65T1K2I.pdf
Консультация
NCE20P10J

NCE20P10J-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE20P10J
  • КорпусDFN2x2-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -20V пороговое напряжение - 电流 -10A мощность (Pd)  3.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 32mΩ @ VGS=-2.5V корпус DFN2x2-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P10J
  • PDF NCE20P10J.pdf
Консультация
NCE60P05N

NCE60P05N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P05N
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -60V пороговое напряжение - 电流 -5A мощность (Pd)  3.1W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 65mΩ @ VGS=-10V корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P05N
  • PDF NCE60P05N.pdf
Консультация
NCE65T680F

NCE65T680F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T680F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 7A мощность (Pd)  31.4W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 600mΩ@10V,3.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T680F
  • PDF NCE65T680F.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1314151617181920...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd