О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP026N10T

NCEP026N10T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP026N10T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение - ток 230A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.15mΩ , typical@ VGS=10V корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10T
  • PDF NCEP026N10T.pdf
Консультация
NCE70T540I

NCE70T540I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T540I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение - ток 8 A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 540 mΩ корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T540I
  • PDF NCE70T540I.pdf
Консультация
NCEP0218K

NCEP0218K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0218K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение - ток 18A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 145mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0218K
  • PDF NCEP0218K.pdf
Консультация
NCE30H10

NCE30H10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 100A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10
  • PDF NCE30H10.pdf
Консультация
NCE8205

NCE8205-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8205
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение - ток 4A мощность (Pd)  1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 37mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8205
  • PDF NCE8205.pdf
Консультация
NCEP85T11

NCEP85T11-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T11
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 110A мощность (Pd)  145W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6mΩ@10V,55A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T11
  • PDF NCEP85T11.pdf
Консультация
NCEP18N10AK

NCEP18N10AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP18N10AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 42A мощность (Pd)  72W канал N сопротивление в открытом состоянии 15.5mΩ (typical) @VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP18N10AK
  • PDF NCEP18N10AK.pdf
Консультация
NCEP1545AK

NCEP1545AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение 3.1V@250uA ток 45A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545AK
  • PDF NCEP1545AK.pdf
Консультация
NCE60P04SN

NCE60P04SN-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P04SN
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -60V пороговое напряжение - ток -4A мощность (Pd)  1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 120mΩ @ VGS=-10V корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P04SN
  • PDF NCE60P04SN.pdf
Консультация
NCEP1520AK

NCEP1520AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  68W канал N сопротивление в открытом состоянии 56mΩ (typical) @ VGS=10V корпус  TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520AK
  • PDF NCEP1520AK.pdf
Консультация
NCE40H29D

NCE40H29D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H29D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 290A мощность (Pd)  310W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H29D
  • PDF NCE40H29D.pdf
Консультация
NCE60ND08S

NCE60ND08S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60ND08S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  2.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии 20mΩ @ VGS=10V (Typ:15.6mΩ) корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60ND08S
  • PDF NCE60ND08S.pdf
Консультация
NCE40P05S

NCE40P05S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P05S
  • КорпусESOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -40V пороговое напряжение - ток -5.3A мощность (Pd)  2W канал P сопротивление в открытом состоянии 80mΩ @ VGS=-10V корпус ESOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P05S
  • PDF NCE40P05S.pdf
Консультация
NCE2007N

NCE2007N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2007N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  1.5W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии 22mΩ@4.5V,6A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2007N
  • PDF NCE2007N.pdf
Консультация
NCE55P30

NCE55P30-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -55V пороговое напряжение - ток -30A мощность (Pd)  90W канал Pсопротивление в открытом состоянии 40mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30
  • PDF NCE55P30.pdf
Консультация
NCEP035N72GU

NCEP035N72GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N72GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 72V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  90W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical @VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N72GU
  • PDF NCEP035N72GU.pdf
Консультация
NCE3013J

NCE3013J-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3013J
  • КорпусDFN-6L(2x2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 13A мощность (Pd)  3W канал Nсопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус DFN-6L(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3013J
  • PDF NCE3013J.pdf
Консультация
NCE70T260EF

NCE70T260EF-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T260EF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 15 A мощность (Pd)  33.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 260 mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T260EF
  • PDF NCE70T260EF.pdf
Консультация
NCE65T1K2F

NCE65T1K2F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  28.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2F
  • PDF NCE65T1K2F.pdf
Консультация
NCEP050N12D

NCEP050N12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP050N12D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 120V пороговое напряжение - ток 130A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ , typical (TO-263)@VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP050N12D
  • PDF NCEP050N12D.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1415161718192021...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd