О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP85T12

NCEP85T12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T12
  • PDF NCEP85T12.pdf
Консультация
NCE30NP1812Q

NCE30NP1812Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30NP1812Q
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток N,18A-P,-12A мощность (Pd)  15W канал N and Pсопротивление в открытом состоянии N,24mΩ @ VGS=10V P,35mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30NP1812Q
  • PDF NCE30NP1812Q.pdf
Консультация
NCE01H10

NCE01H10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01H10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4V@250uA ток 100A мощность (Pd)  200W канал Nсопротивление в открытом состоянии 13mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01H10
  • PDF NCE01H10.pdf
Консультация
NCE2010E

NCE2010E-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2010E
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 900mV@250uA ток 7A мощность (Pd)  1.5W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии 18mΩ@4.5V,6.5A корпус TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2010E
  • PDF NCE2010E.pdf
Консультация
NCE65T540I

NCE65T540I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540I
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал Nсопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540I
  • PDF NCE65T540I.pdf
Консультация
NCE65T900I

NCE65T900I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T900I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650 V пороговое напряжение - ток 5 A мощность (Pd)  46W канал Nсопротивление в открытом состоянии 750 mΩ корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900I
  • PDF NCE65T900I.pdf
Консультация
NCE6045XG

NCE6045XG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6045XG
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  60W канал Nсопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ (typical) @VGS=10V корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6045XG
  • PDF NCE6045XG.pdf
Консультация
NCE1570

NCE1570-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1570
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение 3V@250uA ток 70A мощность (Pd)  310W канал Nсопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1570
  • PDF NCE1570.pdf
Консультация
NCEP080N10

NCEP080N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP080N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 75A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP080N10
  • PDF NCEP080N10.pdf
Консультация
NCE6003M

NCE6003M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 1.3V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 73mΩ@10V,3A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003M
  • PDF NCE6003M.pdf
Консультация
NCE0157

NCE0157-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0157
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 57A мощность (Pd)  170W канал Nсопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,28A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0157
  • PDF NCE0157.pdf
Консультация
NCEP02T10T

NCEP02T10T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10T
  • КорпусTO-247-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  300W канал Nсопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус TO-247-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10T
  • PDF NCEP02T10T.pdf
Консультация
NCE65T130F

NCE65T130F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T130F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650 V пороговое напряжение - ток 28 A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 110 mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T130F
  • PDF NCE65T130F.pdf
Консультация
NCE0130A

NCE0130A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0130A
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 30A мощность (Pd)  85W канал Nсопротивление в открытом состоянии 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130A
  • PDF NCE0130A.pdf
Консультация
NCE0140AK2

NCE0140AK2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140AK2
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ) корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140AK2
  • PDF NCE0140AK2.pdf
Консультация
NCE6080AK

NCE6080AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ (typical) @ VGS=10V корпус  TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080AK
  • PDF NCE6080AK.pdf
Консультация
NCE3080IA

NCE3080IA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080IA
  • PDF NCE3080IA.pdf
Консультация
NCE65T900F

NCE65T900F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T900F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  29W канал N сопротивление в открытом состоянии 750mΩ@10V,2.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900F
  • PDF NCE65T900F.pdf
Консультация
NCE6075

NCE6075-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6075
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 75A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,30A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6075
  • PDF NCE6075.pdf
Консультация
NCE55P30F

NCE55P30F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -55V пороговое напряжение - ток -55V мощность (Pd)  30W канал Pсопротивление в открытом состоянии 40mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30F
  • PDF NCE55P30F.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 151617181920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd