О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE70T900I

NCE70T900I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T900I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  46W канал N сопротивление в открытом состоянии 820mΩ@10V,2.5A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T900I
  • PDF NCE70T900I.pdf
Консультация
NCE4080D

NCE4080D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  90W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4080D
  • PDF NCE4080D.pdf
Консультация
NCE70T360K

NCE70T360K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 11.5 A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 330 mΩ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360K
  • PDF NCE70T360K.pdf
Консультация
NCEP028N85

NCEP028N85-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N85
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  245W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.55mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N85
  • PDF NCEP028N85.pdf
Консультация
NCE40H12I

NCE40H12I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H12I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3.6mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H12I
  • PDF NCE40H12I.pdf
Консультация
NCEP020N30GU

NCEP020N30GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP020N30GU
  • КорпусDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 100A мощность (Pd)  70W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.75mΩ@10V,50A корпус DFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP020N30GU
  • PDF NCEP020N30GU.pdf
Консультация
NCE30H11BK

NCE30H11BK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11BK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  115W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.6mΩ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11BK
  • PDF NCE30H11BK.pdf
Консультация
NCEP10N12

NCEP10N12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP10N12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 120V пороговое напряжение - ток 70A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP10N12
  • PDF NCEP10N12.pdf
Консультация
NCEP1520BK

NCEP1520BK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520BK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  68W канал Nсопротивление в открытом состоянии 52mΩ корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520BK
  • PDF NCEP1520BK.pdf
Консультация
NCE4080

NCE4080-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  90W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4080
  • PDF NCE4080.pdf
Консультация
NCE6602N

NCE6602N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6602N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 3.5A мощность (Pd)  1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 58mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6602N
  • PDF NCE6602N.pdf
Консультация
NCE3065Q

NCE3065Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3065Q
  • КорпусDFN-8L(3x3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 65A мощность (Pd)  45W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.2mΩ (typical) @VGS=10V корпус DFN-8L(3x3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3065Q
  • PDF NCE3065Q.pdf
Консультация
NCE3400

NCE3400-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 41mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400
  • PDF NCE3400.pdf
Консультация
NCE01H13

NCE01H13-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01H13
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4V@250uA ток 130A мощность (Pd)  285W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01H13
  • PDF NCE01H13.pdf
Консультация
NCE80H12D

NCE80H12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80H12D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80H12D
  • PDF NCE80H12D.pdf
Консультация
NCE70T680K

NCE70T680K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T680K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 7 A мощность (Pd)  60W канал Nсопротивление в открытом состоянии 680 mΩ корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T680K
  • PDF NCE70T680K.pdf
Консультация
NCE70T1K2I

NCE70T1K2I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2I
  • PDF NCE70T1K2I.pdf
Консультация
NCEP060N10D

NCEP060N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP060N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.4mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP060N10D
  • PDF NCEP060N10D.pdf
Консультация
NCEP055N10D

NCEP055N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP055N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  150W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.2mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP055N10D
  • PDF NCEP055N10D.pdf
Консультация
NCEP12N12

NCEP12N12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12N12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение - ток 63A мощность (Pd)  100W канал Nсопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12N12
  • PDF NCEP12N12.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1617181920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd