О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE0224AK

NCE0224AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224AK
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение - ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 80mΩ @ VGS=10V (Typ:62mΩ) корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224AK
  • PDF NCE0224AK.pdf
Консультация
NCEP0114AS

NCEP0114AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0114AS
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 14A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,14A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0114AS
  • PDF NCEP0114AS.pdf
Консультация
NCE60P20K

NCE60P20K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P20K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.8V@250uA ток 20A мощность (Pd)  60W канал P сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P20K
  • PDF NCE60P20K.pdf
Консультация
NCE65T540D

NCE65T540D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 460mΩ@10V,4A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540D
  • PDF NCE65T540D.pdf
Консультация
NCEP038N10GU

NCEP038N10GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP038N10GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.45mΩ (Typ.) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP038N10GU
  • PDF NCEP038N10GU.pdf
Консультация
NCE60P40F

NCE60P40F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P40F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -40A мощность (Pd)  37W канал P сопротивление в открытом состоянии 35mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P40F
  • PDF NCE60P40F.pdf
Консультация
NCE30H11BG

NCE30H11BG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11BG
  • КорпусFDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  68W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус FDFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11BG
  • PDF NCE30H11BG.pdf
Консультация
NCE65TF180F

NCE65TF180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 21 A мощность (Pd)  33.8W канал N сопротивление в открытом состоянии 180 mΩ корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180F
  • PDF NCE65TF180F.pdf
Консультация
NCE8205t

NCE8205t-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8205t
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 5A мощность (Pd)  1.25W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 16.5mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8205t
  • PDF NCE8205t.pdf
Консультация
NCE70T1K2R

NCE70T1K2R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2R
  • КорпусSOT-223-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 700 V пороговое напряжение - ток 4 A мощность (Pd)  5.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 1100 mΩ корпус SOT-223-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2R
  • PDF NCE70T1K2R.pdf
Консультация
NCE6003

NCE6003-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 105mΩ@10V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003
  • PDF NCE6003.pdf
Консультация
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3025Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
Консультация
NCE30H11K

NCE30H11K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 110A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.2mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11K
  • PDF NCE30H11K.pdf
Консультация
NCEP050N85D

NCEP050N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP050N85D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP050N85D
  • PDF NCEP050N85D.pdf
Консультация
NCE65TF360F

NCE65TF360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  32.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 290mΩ@10V,7A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF360F
  • PDF NCE65TF360F.pdf
Консультация
NCEP01T18

NCEP01T18-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T18
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 180A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.0mΩ @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T18
  • PDF NCEP01T18.pdf
Консультация
NCE01NP03S

NCE01NP03S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01NP03S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 3A мощность (Pd)  2W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,130mΩ @ VGS=10V P,200mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01NP03S
  • PDF NCE01NP03S.pdf
Консультация
NCEP0178A

NCEP0178A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0178A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 78A мощность (Pd)  125W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,39A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0178A
  • PDF NCEP0178A.pdf
Консультация
NCE3406N

NCE3406N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3406N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 6A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 50mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3406N
  • PDF NCE3406N.pdf
Консультация
NCE3065K

NCE3065K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3065K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 65A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.7mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3065K
  • PDF NCE3065K.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1213141516171819...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd