О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE4606A

NCE4606A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4606A
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток N,6.5A-P,-7A мощность (Pd)  2W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,24mΩ @ VGS=10V P,30mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4606A
  • PDF NCE4606A.pdf
Консультация
NCE65T360D

NCE65T360D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 290mΩ@10V,7A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360D
  • PDF NCE65T360D.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 710V пороговое напряжение - ток 45 A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 62 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF078T
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3025Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
Консультация
NCE55P04S

NCE55P04S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P04S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 4A мощность (Pd)  3W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 82mΩ@10V,4A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P04S
  • PDF NCE55P04S.pdf
Консультация
NCE30ND07S

NCE30ND07S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30ND07S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 7A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 23mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30ND07S
  • PDF NCE30ND07S.pdf
Консультация
NCEP033N10

NCEP033N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP033N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 160A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP033N10
  • PDF NCEP033N10.pdf
Консультация
NCEP40T20ALL

NCEP40T20ALL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T20ALL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 3V@250uA ток 250A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.2mΩ@10V,100A корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T20ALL
  • PDF NCEP40T20ALL.pdf
Консультация
NCEP026N10D

NCEP026N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP026N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10D
  • PDF NCEP026N10D.pdf
Консультация
NCEP40T15A

NCEP40T15A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T15A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.7V@250uA ток 150A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.75mΩ@10V,75A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15A
  • PDF NCEP40T15A.pdf
Консультация
NCE3008Y

NCE3008Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008Y
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008Y
  • PDF NCE3008Y.pdf
Консультация
NCE4528K

NCE4528K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4528K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 45V пороговое напряжение - ток 28A мощность (Pd)  45W канал N сопротивление в открытом состоянии 19mΩ @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4528K
  • PDF NCE4528K.pdf
Консультация
NCEP033N85D

NCEP033N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP033N85D
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение 3V@250uA ток 160A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.95mΩ@10V,80A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP033N85D
  • PDF NCEP033N85D.pdf
Консультация
NCE65T900K

NCE65T900K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T900K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 5 A мощность (Pd)  46W канал N сопротивление в открытом состоянии 750 mΩ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900K
  • PDF NCE65T900K.pdf
Консультация
NCEP068N10AK

NCEP068N10AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP068N10AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  125W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP068N10AK
  • PDF NCEP068N10AK.pdf
Консультация
NCE70T540F

NCE70T540F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T540F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700 V пороговое напряжение - ток 8 A мощность (Pd)  31.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 540 mΩ корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T540F
  • PDF NCE70T540F.pdf
Консультация
NCEP40T35AVD

NCEP40T35AVD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T35AVD
  • КорпусTO-263-7L
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 350A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 0.68mΩ (typical) @VGS=10V корпус  TO-263-7L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T35AVD
  • PDF NCEP40T35AVD.pdf
Консультация
NCE3050

NCE3050-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3050
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,25A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3050
  • PDF NCE3050.pdf
Консультация
NCEP060N10

NCEP060N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP060N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 50A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.6mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP060N10
  • PDF NCEP060N10.pdf
Консультация
NCEP040N85D

NCEP040N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N85D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 140A мощность (Pd)  200W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N85D
  • PDF NCEP040N85D.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1112131415161718...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd