О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
BSS123TA

BSS123TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123TA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 360mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123TA 系列 BSS123TA
  • PDF BSS123TA.pdf
Консультация
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D9UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D9UW-7 系列 DMN61D9UW
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
Консультация
DMN2004K-7

DMN2004K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 630mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004K-7 系列 DMN2004K
  • PDF DMN2004K-7.pdf
Консультация
DMP4013LFG-7

DMP4013LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4013LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFG-7 系列 DMP4013LFG
  • PDF DMP4013LFG-7.pdf
Консультация
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LDW-13
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 360mA мощность (Pd) 310mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LDW-13 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-13.pdf
Консультация
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H4D2S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 270mA мощность (Pd) 380mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H4D2S-7 系列 DMP10H4D2S
  • PDF DMP10H4D2S-7.pdf
Консультация
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4800LSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.6V@250uA ток 7.5A мощность (Pd) 1.17W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4800LSD-13 系列 DMG4800LSD
  • PDF DMG4800LSD-13.pdf
Консультация
DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4047SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 1.6W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.4A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047SK3-13 系列 DMP4047SK3
  • PDF DMP4047SK3-13.pdf
Консультация
ZVN3310FTA

ZVN3310FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3310FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 100mA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3310FTA 系列 ZVN3310FTA
  • PDF ZVN3310FTA.pdf
Консультация
DMP6185SE-13

DMP6185SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6185SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6185SE-13 系列 DMP6185SE
  • PDF DMP6185SE-13.pdf
Консультация
BS170FTA

BS170FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS170FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 150uA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS170FTA 系列 BS170FTA
  • PDF BS170FTA.pdf
Консультация
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6068LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6A мощность (Pd) 2.12W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068LK3-13 系列 DMN6068LK3
  • PDF DMN6068LK3-13.pdf
Консультация
DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302UKQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 660mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@3.6A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302UKQ-7 系列 DMG2302UKQ
  • PDF DMG2302UKQ-7.pdf
Консультация
ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP7A17KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 2.11W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP7A17KTC 系列 ZXMP7A17KTC
  • PDF ZXMP7A17KTC.pdf
Консультация
DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035UVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035UVT-7 系列 DMP2035UVT
  • PDF DMP2035UVT-7.pdf
Консультация
DMP610DL-7

DMP610DL-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP610DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 310mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP610DL-7 系列 DMP610DL
  • PDF DMP610DL-7.pdf
Консультация
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H170SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 12A мощность (Pd) 42W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H170SK3-13 系列 DMN10H170SK3
  • PDF DMN10H170SK3-13.pdf
Консультация
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1029SV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 500mA；360mA мощность (Pd) 450mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@500mA,10V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1029SV-7 系列 DMG1029SV
  • PDF DMG1029SV-7.pdf
Консультация
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 220mA мощность (Pd) 300mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LDW-7 系列 DMN63D8LDW
  • PDF DMN63D8LDW-7.pdf
Консультация
ZVN4525GTA

ZVN4525GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4525GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 310mA мощность (Pd) 2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4525GTA 系列 ZVN4525GTA
  • PDF ZVN4525GTA.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая12345678910...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd