О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A；23.6A мощность (Pd) 1.9W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SK3Q-13 系列 DMPH6050SK3Q
  • PDF DMPH6050SK3Q-13.pdf
Консультация
DMP2240UDM-7

DMP2240UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2240UDM-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2A мощность (Pd) 600mW канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2240UDM-7 系列 DMP2240UDM
  • PDF DMP2240UDM-7.pdf
Консультация
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2058UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 500mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@3A,10V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2058UW-7 系列 DMN2058UW
  • PDF DMN2058UW-7.pdf
Консультация
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415UFY4Q-7
  • КорпусDFN-3(1.5x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 16V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 650mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4A,4.5V корпус DFN-3(1.5x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415UFY4Q-7 系列 DMG3415UFY4Q
  • PDF DMG3415UFY4Q-7.pdf
Консультация
DMP3125L-7

DMP3125L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3125L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 650mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 95mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3125L-7 系列 DMP3125L
  • PDF DMP3125L-7.pdf
Консультация
DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6110SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 1.2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 105mΩ@10V,4.5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SSD-13 系列 DMP6110SSD
  • PDF DMP6110SSD-13.pdf
Консультация
DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 8.5A мощность (Pd) 1.3W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SPSQ-13 系列 DMP4015SPSQ
  • PDF DMP4015SPSQ-13.pdf
Консультация
DMP2160UW-7

DMP2160UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 350mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UW-7 系列 DMP2160UW
  • PDF DMP2160UW-7.pdf
Консультация
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1024UV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.38A мощность (Pd) 530mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1024UV-7 系列 DMG1024UV
  • PDF DMG1024UV-7.pdf
Консультация
DMG3414U-7

DMG3414U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3414U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 780mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3414U-7 系列 DMG3414U
  • PDF DMG3414U-7.pdf
Консультация
DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4065SQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 720mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.2A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4065SQ-7 系列 DMP4065SQ
  • PDF DMP4065SQ-7.pdf
Консультация
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61P03FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.1A мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,600mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61P03FTA 系列 ZXM61P03FTA
  • PDF ZXM61P03FTA.pdf
Консультация
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8LW-13
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LW-13 系列 DMN63D8LW
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
Консультация
DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN5L06K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN5L06K-7 系列 DMN5L06K
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
Консультация
DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8003SPS-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 2.9W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,30A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8003SPS-13 系列 DMTH8003SPS
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
Консультация
BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138Q-7-F 系列 BSS138Q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
Консультация
DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSS-13 系列 DMP4015SSS
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
Консультация
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A13FQTA
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@600mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FQTA 系列 ZXMP10A13FQTA
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
Консультация
DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2400UV-13
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.03A；700mA мощность (Pd) 450mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@4.5V,200mA；700mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2400UV-13 系列 DMC2400UV
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
Консультация
DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2004DWK-7
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODESкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)系列DMC2004DWKтип монтажа SMTкорпус SOT-363-6пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAток 540mA；430mAмощность (Pd)250mW耐压20Vсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@4.5V,540mA；700mΩ@4.5V,430mAканал 1个N和1个P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая123456789...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd