О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3009LDT-7
  • КорпусV-DFN3030-8K
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 30A мощность (Pd) 1.2W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A корпус V-DFN3030-8K MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3009LDT-7 系列 DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
Консультация
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP1320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 35mA мощность (Pd) 350mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,50A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP1320FTA 系列 ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
Консультация
DMP2200UDW-7

DMP2200UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2200UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 900mA мощность (Pd) 450mW 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 260mΩ@4.5V,880mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2200UDW-7 系列 DMP2200UDW
  • PDF DMP2200UDW-7.pdf
Консультация
DMP6180SK3Q-13

DMP6180SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA 电流 14A мощность (Pd) 1.7W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3Q-13 系列 DMP6180SK3Q
  • PDF DMP6180SK3Q-13.pdf
Консультация
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 5.6A мощность (Pd) 1.8W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LE-13 系列 DMN3032LE
  • PDF DMN3032LE-13.pdf
Консультация
BS250FTA

BS250FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA 电流 90mA мощность (Pd) 330mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250FTA 系列 BS250FTA
  • PDF BS250FTA.pdf
Консультация
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6068SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 4.1A мощность (Pd) 2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068SE-13 系列 DMN6068SE
  • PDF DMN6068SE-13.pdf
Консультация
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3190LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA 电流 1A мощность (Pd) 320mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 190mΩ@10V,1.3A корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3190LDW-7 系列 DMN3190LDW
  • PDF DMN3190LDW-7.pdf
Консультация
DMN3042L-7

DMN3042L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3042L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A мощность (Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 26.5mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3042L-7 系列 DMN3042L
  • PDF DMN3042L-7.pdf
Консультация
DMP6023LSS-13

DMP6023LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 6.6A мощность (Pd) 1.2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LSS-13 系列 DMP6023LSS
  • PDF DMP6023LSS-13.pdf
Консультация
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 700mA мощность (Pd) 625mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07FTA 系列 ZXMN10A07FTA
  • PDF ZXMN10A07FTA.pdf
Консультация
DMP3068L-7

DMP3068L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3068L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA 电流 3.3A мощность (Pd) 700mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@10V,4.2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3068L-7 系列 DMP3068L
  • PDF DMP3068L-7.pdf
Консультация
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP45H4D9HK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA 电流 4.7A мощность (Pd) 104W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H4D9HK3-13 系列 DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
Консультация
DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A мощность (Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LQ-7 系列 DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
Консультация
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA 电流 14A мощность (Pd) 1.7W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3-13 系列 DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
Консультация
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.2A мощность (Pd) 625mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A07FTA 系列 ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
Консультация
DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3420U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 5.47A мощность (Pd) 740mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3420U-7 系列 DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
Консультация
DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LFDE-13
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A мощность (Pd) 660mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LFDE-13 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
Консультация
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2307LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 2.5A мощность (Pd) 760mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2307LQ-7 系列 DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
Консультация
DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN4035L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 4.6A мощность (Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A корпус  SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN4035L-7 系列 DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая12345678...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd