О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)супербарьерный выпрямитель (SBR)
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23TO-252SOT-223SO-8SOT-323SOT-23-3PowerDI3333-8SOP-8SOT-26SOT-363SOT-23-6SOT-563Power-DI-5PowerDI-123PowerDI-5SOIC-8TO-220-3TO-220AB-3DFN-6(2x2)PowerDI5060-8SOD-123FDFN2020-6SOT-363-6DFN-3(0.6x1)Power-DI-123SOD-123TO-252-2TO-263ABTO-92-3DO-214ADITO-220AB-3Power-DI-5060-8SC-59SMASMA(DO-214AC)SOD-323SOT-523SOT-523-3SOT-89U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPX2-DFN1006-3DFN-2(0.6x1)DFN-4(3x3)ITO-220ABPowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI5TDFN-8-PowerTO-252(DPAK)TO-263AB(D2PAK)V-DFN3333-8X1-DFN1006-3X2-DFN2015-3DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DMN3032LFDB-7PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123-2Power-DI-5-3PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8SC-70-3SOD-523SOT-223-4SOT-23FSOT-89-3SOT-963SOT-963-6TO-220TO-220-3-FPTO-220ABTO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-92TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3009LDT-7
  • КорпусV-DFN3030-8K
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 1.2W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A корпус V-DFN3030-8K MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3009LDT-7 серия DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
Консультация
ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP1320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 35mA мощность (Pd) 350mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,50A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP1320FTA серия ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
Консультация
DMP2200UDW-7

DMP2200UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2200UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 450mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 260mΩ@4.5V,880mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2200UDW-7 серия DMP2200UDW
  • PDF DMP2200UDW-7.pdf
Консультация
DMP6180SK3Q-13

DMP6180SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA ток 14A мощность (Pd) 1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3Q-13 серия DMP6180SK3Q
  • PDF DMP6180SK3Q-13.pdf
Консультация
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.6A мощность (Pd) 1.8W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LE-13 серия DMN3032LE
  • PDF DMN3032LE-13.pdf
Консультация
BS250FTA

BS250FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 90mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250FTA серия BS250FTA
  • PDF BS250FTA.pdf
Консультация
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6068SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6068SE-13 серия DMN6068SE
  • PDF DMN6068SE-13.pdf
Консультация
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3190LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 1A мощность (Pd) 320mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 190mΩ@10V,1.3A корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3190LDW-7 серия DMN3190LDW
  • PDF DMN3190LDW-7.pdf
Консультация
DMN3042L-7

DMN3042L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3042L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 26.5mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3042L-7 серия DMN3042L
  • PDF DMN3042L-7.pdf
Консультация
DMP6023LSS-13

DMP6023LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.6A мощность (Pd) 1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LSS-13 серия DMP6023LSS
  • PDF DMP6023LSS-13.pdf
Консультация
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07FTA серия ZXMN10A07FTA
  • PDF ZXMN10A07FTA.pdf
Консультация
DMP3068L-7

DMP3068L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3068L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 72mΩ@10V,4.2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3068L-7 серия DMP3068L
  • PDF DMP3068L-7.pdf
Консультация
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP45H4D9HK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4.7A мощность (Pd) 104W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H4D9HK3-13 серия DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
Консультация
DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LQ-7 серия DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
Консультация
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6180SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.7V@250uA ток 14A мощность (Pd) 1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6180SK3-13 серия DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
Консультация
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A07FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A07FTA серия ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
Консультация
DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3420U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 5.47A мощность (Pd) 740mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3420U-7 серия DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
Консультация
DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LFDE-13
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 660mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LFDE-13 серия DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
Консультация
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2307LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 760mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2307LQ-7 серия DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
Консультация
DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN4035L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A корпус  SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN4035L-7 серия DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая12345678...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd