О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H400SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.3A; 6A мощность (Pd) 2W; 13.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SE-13 серия DMP10H400SE
  • PDF DMP10H400SE-13.pdf
Консультация
BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS8402DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V; 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA; 2V@1mA ток 115mA; 130mA мощность (Pd) 200mW канал 1 N;1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.2Ω@5V,0.05A; 10Ω@5V,0.1A корпус SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS8402DW-7-F серия BSS8402DW
  • PDF BSS8402DW-7-F.pdf
Консультация
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 310mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0L-7 серия DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
Консультация
DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3402L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3402L-7 серия DMG3402L
  • PDF DMG3402L-7.pdf
Консультация
DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3023L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 900mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3023L-7 серия DMN3023L
  • PDF DMN3023L-7.pdf
Консультация
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H400SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 9A мощность (Pd) 42W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 240mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SK3-13 серия DMP10H400SK3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
Консультация
DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2056U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 940mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2056U-7 серия DMN2056U
  • PDF DMN2056U-7.pdf
Консультация
DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2305U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2305U-7 серия DMP2305U
  • PDF DMP2305U-7.pdf
Консультация
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1019USN-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 9.3A мощность (Pd) 680mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4V,9.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019USN-7 серия DMN1019USN
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
Консультация
DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2120U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 62mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2120U-7 серия DMP2120U
  • PDF DMP2120U-7.pdf
Консультация
DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 900mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415UQ-7 серия DMG3415UQ
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
Консультация
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC3025LSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A; 4.2A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N и 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC3025LSD-13 серия DMHC3025LSD
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
Консультация
ZVN3320FTA

ZVN3320FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3320FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 60mA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25Ω@10V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3320FTA серия ZVN3320FTA
  • PDF ZVN3320FTA.pdf
Консультация
DMG2302U-7

DMG2302U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@50uA ток 4.2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302U-7 серия DMG2302U
  • PDF DMG2302U-7.pdf
Консультация
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0L-7 серия DMN53D0L
  • PDF DMN53D0L-7.pdf
Консультация
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UT-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UT-7 серия DMN26D0UT
  • PDF DMN26D0UT-7.pdf
Консультация
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N03FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,910mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03FTA серия ZXM61N03FTA
  • PDF ZXM61N03FTA.pdf
Консультация
DMP2045U-7

DMP2045U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2045U-7 серия DMP2045U
  • PDF DMP2045U-7.pdf
Консультация
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус  SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123W-7-F серия BSS123W
  • PDF BSS123W-7-F.pdf
Консультация
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN24H3D5L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 240V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 480mA мощность (Pd) 760mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN24H3D5L-7 серия DMN24H3D5L
  • PDF DMN24H3D5L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая123456...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd