О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
2N7002-7-F

2N7002-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 115mA мощность (Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002-7-F 系列 2N7002
  • PDF 2N7002-7-F.pdf
Консультация
2N7002K-7

2N7002K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA 电流 380mA мощность (Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002K-7 系列 2N7002K
  • PDF 2N7002K-7.pdf
Консультация
DMG1012T-7

DMG1012T-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012T-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 630mA мощность (Pd) 280mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012T-7 系列 DMG1012T
  • PDF DMG1012T-7.pdf
Консультация
DMP3099L-7

DMP3099L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3099L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A мощность (Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-7 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-7.pdf
Консультация
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A13FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 600mA мощность (Pd) 625mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,600mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FTA 系列 ZXMP10A13F
  • PDF ZXMP10A13FTA.pdf
Консультация
BSS138-7-F

BSS138-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA мощность (Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138-7-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-7-F.pdf
Консультация
BSS123-7-F

BSS123-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 170mA мощность (Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123-7-F 系列 BSS123
  • PDF BSS123-7-F.pdf
Консультация
DMG3415U-7

DMG3415U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 4A мощность (Pd) 900mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415U-7 系列 DMG3415U
  • PDF DMG3415U-7.pdf
Консультация
DMG2302UK-7

DMG2302UK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302UK-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2.8A мощность (Pd) 660mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302UK-7 系列 DMG2302UK
  • PDF DMG2302UK-7.pdf
Консультация
DMP3056L-7

DMP3056L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 4.3A мощность (Pd) 1.38W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056L-7 系列 DMP3056L
  • PDF DMP3056L-7.pdf
Консультация
2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002DW-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 230mA мощность (Pd) 310mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002DW-7-F 系列 2N7002DW
  • PDF 2N7002DW-7-F.pdf
Консультация
BSS138W-7-F

BSS138W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138W-7-F
  • КорпусSC-70-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA мощность (Pd) 200mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SC-70-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138W-7-F 系列 BSS138W
  • PDF BSS138W-7-F.pdf
Консультация
DMN3404L-7

DMN3404L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3404L-7
  • Корпус
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 5.8A мощность (Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404L-7 系列 DMN3404L
  • PDF DMN3404L-7.pdf
Консультация
DMP1045U-7

DMP1045U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 4A мощность (Pd) 800mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045U-7 系列 DMP1045U
  • PDF DMP1045U-7.pdf
Консультация
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-13 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-13.pdf
Консультация
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-7 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-7.pdf
Консультация
DMP3098L-7

DMP3098L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A мощность (Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098L-7 系列 DMP3098L
  • PDF DMP3098L-7.pdf
Консультация
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4051LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7.2A мощность (Pd) 2.14W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4051LK3-13 系列 DMP4051LK3
  • PDF DMP4051LK3-13.pdf
Консультация
2N7002KQ-7

2N7002KQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002KQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA 电流 380mA мощность (Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002KQ-7 系列 2N7002KQ-7
  • PDF 2N7002KQ-7.pdf
Консультация
DMP6023LE-13

DMP6023LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LE-13
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7A；18.2A мощность (Pd) 2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A корпус SOT-223-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LE-13 系列 DMP6023LE
  • PDF DMP6023LE-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1234...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd