О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)супербарьерный выпрямитель (SBR)
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23TO-252SOT-223SO-8SOT-323SOT-23-3PowerDI3333-8SOP-8SOT-26SOT-363SOT-23-6SOT-563Power-DI-5PowerDI-123PowerDI-5SOIC-8TO-220-3TO-220AB-3DFN-6(2x2)PowerDI5060-8SOD-123FDFN2020-6SOT-363-6DFN-3(0.6x1)Power-DI-123SOD-123TO-252-2TO-263ABTO-92-3DO-214ADITO-220AB-3Power-DI-5060-8SC-59SMASMA(DO-214AC)SOD-323SOT-523SOT-523-3SOT-89U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPX2-DFN1006-3DFN-2(0.6x1)DFN-4(3x3)ITO-220ABPowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI5TDFN-8-PowerTO-252(DPAK)TO-263AB(D2PAK)V-DFN3333-8X1-DFN1006-3X2-DFN2015-3DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DMN3032LFDB-7PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123-2Power-DI-5-3PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8SC-70-3SOD-523SOT-223-4SOT-23FSOT-89-3SOT-963SOT-963-6TO-220TO-220-3-FPTO-220ABTO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-92TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
2N7002-7-F

2N7002-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 115mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002-7-F серия 2N7002
  • PDF 2N7002-7-F.pdf
Консультация
2N7002K-7

2N7002K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002K-7 серия 2N7002K
  • PDF 2N7002K-7.pdf
Консультация
DMG1012T-7

DMG1012T-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012T-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 630mA мощность (Pd) 280mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012T-7 серия DMG1012T
  • PDF DMG1012T-7.pdf
Консультация
DMP3099L-7

DMP3099L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3099L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-7 серия DMP3099L
  • PDF DMP3099L-7.pdf
Консультация
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A13FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 625mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,600mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FTA серия ZXMP10A13F
  • PDF ZXMP10A13FTA.pdf
Консультация
BSS138-7-F

BSS138-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138-7-F серия BSS138
  • PDF BSS138-7-F.pdf
Консультация
BSS123-7-F

BSS123-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123-7-F серия BSS123
  • PDF BSS123-7-F.pdf
Консультация
DMG3415U-7

DMG3415U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 900mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415U-7 серия DMG3415U
  • PDF DMG3415U-7.pdf
Консультация
DMG2302UK-7

DMG2302UK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302UK-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 660mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302UK-7 серия DMG2302UK
  • PDF DMG2302UK-7.pdf
Консультация
DMP3056L-7

DMP3056L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 1.38W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056L-7 серия DMP3056L
  • PDF DMP3056L-7.pdf
Консультация
2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002DW-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 310mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002DW-7-F серия 2N7002DW
  • PDF 2N7002DW-7-F.pdf
Консультация
BSS138W-7-F

BSS138W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138W-7-F
  • КорпусSC-70-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SC-70-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138W-7-F серия BSS138W
  • PDF BSS138W-7-F.pdf
Консультация
DMN3404L-7

DMN3404L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3404L-7
  • Корпус
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404L-7 серия DMN3404L
  • PDF DMN3404L-7.pdf
Консультация
DMP1045U-7

DMP1045U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045U-7 серия DMP1045U
  • PDF DMP1045U-7.pdf
Консультация
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-13 серия DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-13.pdf
Консультация
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UX-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-7 серия DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-7.pdf
Консультация
DMP3098L-7

DMP3098L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098L-7 серия DMP3098L
  • PDF DMP3098L-7.pdf
Консультация
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4051LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2.14W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4051LK3-13 серия DMP4051LK3
  • PDF DMP4051LK3-13.pdf
Консультация
2N7002KQ-7

2N7002KQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002KQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002KQ-7 серия 2N7002KQ-7
  • PDF 2N7002KQ-7.pdf
Консультация
DMP6023LE-13

DMP6023LE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LE-13
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7A; 18.2A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A корпус SOT-223-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LE-13 серия DMP6023LE
  • PDF DMP6023LE-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1234...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd