О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)супербарьерный выпрямитель (SBR)
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23TO-252SOT-223SO-8SOT-323SOT-23-3PowerDI3333-8SOP-8SOT-26SOT-363SOT-23-6SOT-563Power-DI-5PowerDI-123PowerDI-5SOIC-8TO-220-3TO-220AB-3DFN-6(2x2)PowerDI5060-8SOD-123FDFN2020-6SOT-363-6DFN-3(0.6x1)Power-DI-123SOD-123TO-252-2TO-263ABTO-92-3DO-214ADITO-220AB-3Power-DI-5060-8SC-59SMASMA(DO-214AC)SOD-323SOT-523SOT-523-3SOT-89U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPX2-DFN1006-3DFN-2(0.6x1)DFN-4(3x3)ITO-220ABPowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI5TDFN-8-PowerTO-252(DPAK)TO-263AB(D2PAK)V-DFN3333-8X1-DFN1006-3X2-DFN2015-3DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DMN3032LFDB-7PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123-2Power-DI-5-3PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8SC-70-3SOD-523SOT-223-4SOT-23FSOT-89-3SOT-963SOT-963-6TO-220TO-220-3-FPTO-220ABTO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-92TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3013SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 12A; 35A мощность (Pd) 940mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3013SFV-7 серия DMP3013SFV
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
Консультация
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1A мощность (Pd) 290mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012UW-7 серия DMG1012UW
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
Консультация
DMP6350S-7

DMP6350S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6350S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 720mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,900mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6350S-7 серия DMP6350S
  • PDF DMP6350S-7.pdf
Консультация
DMP4065S-7

DMP4065S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4065S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 720mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3.3A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4065S-7 серия DMP4065S
  • PDF DMP4065S-7.pdf
Консультация
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMMBF170-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES MMBF170-7-F серия MMBF170
  • PDF MMBF170-7-F.pdf
Консультация
DMG2301L-7

DMG2301L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2301L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.5W корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2301L-7 серия DMG2301L
  • PDF DMG2301L-7.pdf
Консультация
BSS84-7-F

BSS84-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84-7-F серия BSS84
  • PDF BSS84-7-F.pdf
Консультация
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UFB4-7
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус  DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UFB4-7 серия DMN26D0UFB4
  • PDF DMN26D0UFB4-7.pdf
Консультация
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002T-7-F
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 115mA мощность (Pd) 150mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус  SOT-523MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002T-7-F серия 2N7002T
  • PDF 2N7002T-7-F.pdf
Консультация
BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 200mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138DW-7-F серия BSS138DW
  • PDF BSS138DW-7-F.pdf
Консультация
BSS127S-7

BSS127S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS127S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 50mA мощность (Pd) 610mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160Ω@10V,16mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS127S-7 серия BSS127S
  • PDF BSS127S-7.pdf
Консультация
2N7002W-7-F

2N7002W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 115mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002W-7-F серия 2N7002W
  • PDF 2N7002W-7-F.pdf
Консультация
BSN20-7

BSN20-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSN20-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 600mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSN20-7 серия BSN20
  • PDF BSN20-7.pdf
Консультация
DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6075S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@10V,3.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6075S-7 серия DMN6075S
  • PDF DMN6075S-7.pdf
Консультация
DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SSD-13 серия DMN6040SSD
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
Консультация
DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140L-13 серия DMN6140L
  • PDF DMN6140L-13.pdf
Консультация
DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 810mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035U-7 серия DMP2035U
  • PDF DMP2035U-7.pdf
Консультация
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 200mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84W-7-F серия BSS84W
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
Консультация
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 310mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8L-7 серия DMN65D8L
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
Консультация
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H220L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 1.4A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220L-7 серия DMN10H220L
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая12345...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd