О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3013SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 12A；35A 功率(Pd) 940mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A 封装 PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3013SFV-7 系列 DMP3013SFV
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
Консультация
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 290mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG1012UW-7 系列 DMG1012UW
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
Консультация
DMP6350S-7

DMP6350S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6350S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP6350S-7 系列 DMP6350S
  • PDF DMP6350S-7.pdf
Консультация
DMP4065S-7

DMP4065S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4065S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 720mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,3.3A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP4065S-7 系列 DMP4065S
  • PDF DMP4065S-7.pdf
Консультация
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMMBF170-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES MMBF170-7-F 系列 MMBF170
  • PDF MMBF170-7-F.pdf
Консультация
DMG2301L-7

DMG2301L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2301L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.5W 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2301L-7 系列 DMG2301L
  • PDF DMG2301L-7.pdf
Консультация
BSS84-7-F

BSS84-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS84-7-F 系列 BSS84
  • PDF BSS84-7-F.pdf
Консультация
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UFB4-7
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 350mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装  DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN26D0UFB4-7 系列 DMN26D0UFB4
  • PDF DMN26D0UFB4-7.pdf
Консультация
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002T-7-F
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 150mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装  SOT-523MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002T-7-F 系列 2N7002T
  • PDF 2N7002T-7-F.pdf
Консультация
BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS138DW-7-F 系列 BSS138DW
  • PDF BSS138DW-7-F.pdf
Консультация
BSS127S-7

BSS127S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS127S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA 电流 50mA 功率(Pd) 610mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160Ω@10V,16mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS127S-7 系列 BSS127S
  • PDF BSS127S-7.pdf
Консультация
2N7002W-7-F

2N7002W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 115mA 功率(Pd) 200mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002W-7-F 系列 2N7002W
  • PDF 2N7002W-7-F.pdf
Консультация
BSN20-7

BSN20-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSN20-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 600mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSN20-7 系列 BSN20
  • PDF BSN20-7.pdf
Консультация
DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6075S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 800mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN6075S-7 系列 DMN6075S
  • PDF DMN6075S-7.pdf
Консультация
DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN6040SSD-13 系列 DMN6040SSD
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
Консультация
DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN6140L-13 系列 DMN6140L
  • PDF DMN6140L-13.pdf
Консультация
DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2035U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 810mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP2035U-7 系列 DMP2035U
  • PDF DMP2035U-7.pdf
Консультация
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84W-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS84W-7-F 系列 BSS84W
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
Консультация
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 310mA 功率(Pd) 370mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN65D8L-7 系列 DMN65D8L
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
Консультация
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H220L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 1.3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN10H220L-7 系列 DMN10H220L
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая12345...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd