О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP7A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.6A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP7A17GTA 系列 ZXMP7A17GTA
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
Консультация
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1019UVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 10.7A мощность (Pd) 1.73W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4.5V,9.7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019UVT-7 系列 DMN1019UVT
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
Консультация
ZVN2106A

ZVN2106A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN2106A
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 450mA мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,1A корпус TO-92 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN2106A 系列 ZVN2106A
  • PDF ZVN2106A.pdf
Консультация
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN32D2LFB4-7
  • КорпусDFN-3(0.6x1)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@4V,100mA корпус DFN-3(0.6x1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN32D2LFB4-7 系列 DMN32D2LFB4
  • PDF DMN32D2LFB4-7.pdf
Консультация
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG7401SFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 9.8A мощность (Pd) 940mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@20V,12A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG7401SFG-7 系列 DMG7401SFG
  • PDF DMG7401SFG-7.pdf
Консультация
DMN2041L-7

DMN2041L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2041L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 6.4A мощность (Pd) 780mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2041L-7 系列 DMN2041L
  • PDF DMN2041L-7.pdf
Консультация
ZVP4525ZTA

ZVP4525ZTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP4525ZTA
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 205mA мощность (Pd) 1.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP4525ZTA 系列 ZVP4525ZTA
  • PDF ZVP4525ZTA.pdf
Консультация
DMG1016V-7

DMG1016V-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1016V-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 870mA；640mA мощность (Pd) 530mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1016V-7 系列 DMG1016V
  • PDF DMG1016V-7.pdf
Консультация
DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2305UXQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UXQ-7 系列 DMG2305UXQ
  • PDF DMG2305UXQ-7.pdf
Консультация
DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2066LSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 1.25W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@4.5V,4.6A корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2066LSN-7 系列 DMP2066LSN
  • PDF DMP2066LSN-7.pdf
Консультация
DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMNH6042SSDQ-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 16.7A мощность (Pd) 2.1W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,5.1A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMNH6042SSDQ-13 系列 DMNH6042SSDQ
  • PDF DMNH6042SSDQ-13.pdf
Консультация
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601DWK-7
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 305mA мощность (Pd) 200mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601DWK-7 系列 DMN601DWK
  • PDF DMN601DWK-7.pdf
Консультация
DMG301NU-7

DMG301NU-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG301NU-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 25V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@4.5V,400mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG301NU-7 系列 DMG301NU
  • PDF DMG301NU-7.pdf
Консультация
DMG3406L-13

DMG3406L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3406L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 770mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3406L-13 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-13.pdf
Консультация
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A07ZTA
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.9A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,1.8A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A07ZTA 系列 ZXMN6A07ZTA
  • PDF ZXMN6A07ZTA.pdf
Консультация
DMPH6250SQ-7

DMPH6250SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6250SQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 920mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 155mΩ@2A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6250SQ-7 系列 DMPH6250SQ
  • PDF DMPH6250SQ-7.pdf
Консультация
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3016LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 12.4A мощность (Pd) 1.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3016LK3-13 系列 DMN3016LK3
  • PDF DMN3016LK3-13.pdf
Консультация
DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LFGQ-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LFGQ-7 系列 DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-7.pdf
Консультация
DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6110SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A мощность (Pd) 1.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,4.5A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SSS-13 系列 DMP6110SSS
  • PDF DMP6110SSS-13.pdf
Консультация
DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4025SFG-13
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 4.65A мощность (Pd) 810mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4025SFG-13 系列 DMP4025SFG
  • PDF DMP4025SFG-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 678910111213...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd