О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6016LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 7.6A мощность (Pd) 1.9W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 19.5mΩ@10V,10A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6016LSD-13 系列 DMTH6016LSD
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
Консультация
DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3404L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 780mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3404L-7 系列 DMG3404L
  • PDF DMG3404L-7.pdf
Консультация
DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3018SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 11A；35A мощность (Pd) 11A；35A канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@11.5A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3018SFV-7 系列 DMP3018SFV
  • PDF DMP3018SFV-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17GQTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GQTA 系列 ZXMP6A17GQTA
  • PDF ZXMP6A17GQTA.pdf
Консультация
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT4011LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 15.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT4011LFG-7 系列 DMT4011LFG
  • PDF DMT4011LFG-7.pdf
Консультация
DMP3160L-7

DMP3160L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3160L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 122mΩ@10V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3160L-7 系列 DMP3160L
  • PDF DMP3160L-7.pdf
Консультация
DMP3099L-13

DMP3099L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3099L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-13 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-13.pdf
Консультация
DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1005UFDF-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 26A мощность (Pd) 2.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,5A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1005UFDF-7 系列 DMP1005UFDF
  • PDF DMP1005UFDF-7.pdf
Консультация
ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N02FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 700mV@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,930mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N02FTA 系列 ZXM61N02FTA
  • PDF ZXM61N02FTA.pdf
Консультация
DMP3036SSD-13

DMP3036SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3036SSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.6A мощность (Pd) 1.2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3036SSD-13 系列 DMP3036SSD
  • PDF DMP3036SSD-13.pdf
Консультация
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H220LQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 1.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@1.6A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220LQ-7 系列 DMN10H220LQ
  • PDF DMN10H220LQ-7.pdf
Консультация
2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002Q-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002Q-7-F 系列 2N7002Q
  • PDF 2N7002Q-7-F.pdf
Консультация
ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP4A16GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 6.4A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.8A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP4A16GTA 系列 ZXMP4A16GTA
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
Консультация
ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4206GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1A мощность (Pd) 2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206GTA 系列 ZVN4206GTA
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
Консультация
DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004TK-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 430mA мощность (Pd) 150mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.1Ω@4.5V,430mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004TK-7 系列 DMP2004TK
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
Консультация
BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84WQ-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 200mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84WQ-7-F 系列 BSS84WQ
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
Консультация
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LQ-7 系列 DMN53D0LQ
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
Консультация
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UW-7 系列 DMN62D0UW
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
Консультация
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN67D7L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 570mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D7L-7 系列 DMN67D7L
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
Консультация
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140LQ-7 系列 DMN6140LQ
  • PDF DMN6140LQ-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 56789101112...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd