О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP4015SK3Q-13

DMP4015SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 14A; 35A мощность (Pd) 3.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SK3Q-13 серия DMP4015SK3Q
  • PDF DMP4015SK3Q-13.pdf
Консультация
DMG1013T-7

DMG1013T-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013T-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 460mA мощность (Pd) 270mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@4.5V,350mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013T-7 серия DMG1013T
  • PDF DMG1013T-7.pdf
Консультация
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN13H750S-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 130V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 770mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@10V,2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN13H750S-7 серия DMN13H750S
  • PDF DMN13H750S-7.pdf
Консультация
DMP2165UW-7

DMP2165UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2165UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.5A мощность (Pd) 500mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2165UW-7 серия DMP2165UW
  • PDF DMP2165UW-7.pdf
Консультация
DMG6968U-7

DMG6968U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6968U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968U-7 серия DMG6968U
  • PDF DMG6968U-7.pdf
Консультация
BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84DW-7-F
  • КорпусSOT-363-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус  SOT-363-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84DW-7-F серия BSS84DW
  • PDF BSS84DW-7-F.pdf
Консультация
DMN2005K-7

DMN2005K-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2005K-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@100uA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@2.7V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2005K-7 серия DMN2005K
  • PDF DMN2005K-7.pdf
Консультация
ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GTA серия ZXMP6A17GTA
  • PDF ZXMP6A17GTA.pdf
Консультация
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP3310FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 75mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20Ω@10V,150mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP3310FTA серия ZVP3310FTA
  • PDF ZVP3310FTA.pdf
Консультация
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 820mA мощность (Pd) 310mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013UW-7 серия DMG1013UW
  • PDF DMG1013UW-7.pdf
Консультация
DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4047LFDE-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 3.3A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10V,4.4A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4047LFDE-7 серия DMP4047LFDE
  • PDF DMP4047LFDE-7.pdf
Консультация
DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2022LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 10A мощность (Pd) 2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2022LSS-13 серия DMP2022LSS
  • PDF DMP2022LSS-13.pdf
Консультация
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHT6016LFJ-13
  • КорпусDFN-12(4.5x5)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.8A мощность (Pd) 1.16W канал 4 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A корпус DFN-12(4.5x5) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHT6016LFJ-13 серия DMHT6016LFJ
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
Консультация
DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP510DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 310mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP510DL-7 серия DMP510DL
  • PDF DMP510DL-7.pdf
Консультация
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN63D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8L-7 серия DMN63D8L
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
Консультация
BS250P

BS250P-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS250P
  • КорпусTO-92L
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 45V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус TO-92L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS250P серия BS250P
  • PDF BS250P.pdf
Консультация
DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6140L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140L-7 серия DMN6140L
  • PDF DMN6140L-7.pdf
Консультация
2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002A-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@5V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002A-7 серия 2N7002A
  • PDF 2N7002A-7.pdf
Консультация
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN67D8L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 340mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D8L-7 серия DMN67D8L
  • PDF DMN67D8L-7.pdf
Консультация
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6602SVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 3.4A; 2.8A мощность (Pd) 840mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@3.1A,10V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6602SVT-7 серия DMG6602SVT
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1234567...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd