О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)супербарьерный выпрямитель (SBR)
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23TO-252SOT-223SO-8SOT-323SOT-23-3PowerDI3333-8SOP-8SOT-26SOT-363SOT-23-6SOT-563Power-DI-5PowerDI-123PowerDI-5SOIC-8TO-220-3TO-220AB-3DFN-6(2x2)PowerDI5060-8SOD-123FDFN2020-6SOT-363-6DFN-3(0.6x1)Power-DI-123SOD-123TO-252-2TO-263ABTO-92-3DO-214ADITO-220AB-3Power-DI-5060-8SC-59SMASMA(DO-214AC)SOD-323SOT-523SOT-523-3SOT-89U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPX2-DFN1006-3DFN-2(0.6x1)DFN-4(3x3)ITO-220ABPowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI5TDFN-8-PowerTO-252(DPAK)TO-263AB(D2PAK)V-DFN3333-8X1-DFN1006-3X2-DFN2015-3DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DMN3032LFDB-7PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123-2Power-DI-5-3PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8SC-70-3SOD-523SOT-223-4SOT-23FSOT-89-3SOT-963SOT-963-6TO-220TO-220-3-FPTO-220ABTO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-92TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельVN10LFTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 150mA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES VN10LFTA серия VN10LFTA
  • PDF VN10LFTA.pdf
Консультация
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A08GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 2A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A08GTA серия ZXMN10A08GTA
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
Консультация
DMP32D4S-13

DMP32D4S-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP32D4S-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 370mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.4Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP32D4S-13 серия DMP32D4S
  • PDF DMP32D4S-13.pdf
Консультация
DMP2305UQ-7

DMP2305UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2305UQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@4.2A,4.5V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2305UQ-7 серия DMP2305UQ
  • PDF DMP2305UQ-7.pdf
Консультация
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMC10A816N8TC
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 230mΩ@10V,1A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMC10A816N8TC серия ZXMC10A816N8TC
  • PDF ZXMC10A816N8TC.pdf
Консультация
DMN6075SQ-7

DMN6075SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6075SQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@3.2A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6075SQ-7 серия DMN6075SQ
  • PDF DMN6075SQ-7.pdf
Консультация
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6005LPS-13
  • КорпусDFN-8(5.1x6)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 100A мощность (Pd) 2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.5mΩ @ VGS = 4.5V корпус DFN-8(5.1x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6005LPS-13 серия DMT6005LPS
  • PDF DMT6005LPS-13.pdf
Консультация
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN7A11GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@10V,4.4A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN7A11GTA серия ZXMN7A11GTA
  • PDF ZXMN7A11GTA.pdf
Консультация
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004DMK-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 225mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004DMK-7 серия DMN2004DMK
  • PDF DMN2004DMK-7.pdf
Консультация
DMP31D7L-13

DMP31D7L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D7L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.6V@250uA ток 580mA мощность (Pd) 430mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D7L-13 серия DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-13.pdf
Консультация
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN3A01FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.8A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN3A01FTA серия ZXMN3A01FTA
  • PDF ZXMN3A01FTA.pdf
Консультация
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3018SSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODES категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)серия DMN3018SSD тип монтажа SMT корпус SOIC-8 пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 6.7A мощность (Pd) 1.5W допустимое напряжение 30V сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A канал 2 N
  • PDF DMN3018SSD-13.pdf
Консультация
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC4035LSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A; 3.7A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N и 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V; 65mΩ@4.2A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC4035LSDQ-13 серия DMHC4035LSDQ
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
Консультация
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6005LK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 90A мощность (Pd) 2.1W; 100W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.6mΩ@10V,50A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6005LK3Q-13 серия DMTH6005LK3Q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
Консультация
DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3028LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.6A; 6.8A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@6A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3028LSD-13 серия DMC3028LSD
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
Консультация
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4496SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 21.5mΩ@10V,10A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4496SSS-13 серия DMG4496SSS
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
Консультация
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT69M8LFV-7
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 36A;45A мощность (Pd) 2.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ @ VGS = 10V 13.3mΩ @ VGS = 4.5V корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT69M8LFV-7 серия DMT69M8LFV
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
Консультация
BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138DWQ-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 200mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@220mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138DWQ-7 серия BSS138DWQ
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
Консультация
DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3085LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.3W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@5.3A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3085LSS-13 серия DMP3085LSS
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
Консультация
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H400SEQ-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.3A; 6A мощность (Pd) 2W; 13.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@5A,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SEQ-13 серия DMP10H400SEQ
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1415161718192021...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd