О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6110SFDF-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.97W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5A,10V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SFDF-7 系列 DMP6110SFDF
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
Консультация
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61P02FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 900mA мощность (Pd) 625mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 600mΩ@4.5V,610mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61P02FTA 系列 ZXM61P02FTA
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
Консультация
ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP3A16GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.4A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A16GTA 系列 ZXMP3A16GTA
  • PDF ZXMP3A16GTA.pdf
Консультация
DMP2215L-7

DMP2215L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2215L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2215L-7 系列 DMP2215L
  • PDF DMP2215L-7.pdf
Консультация
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6402LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.75W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6402LVT-7 系列 DMG6402LVT
  • PDF DMG6402LVT-7.pdf
Консультация
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4822SSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,8.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4822SSD-13 系列 DMG4822SSD
  • PDF DMG4822SSD-13.pdf
Консультация
DMN6040SK3-13

DMN6040SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 42W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,20A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SK3-13 系列 DMN6040SK3
  • PDF DMN6040SK3-13.pdf
Консультация
DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SVT-7 系列 DMN6040SVT
  • PDF DMN6040SVT-7.pdf
Консультация
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2990UDJ-7
  • КорпусSOT-963
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 450mA мощность (Pd) 350mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-963 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2990UDJ-7 系列 DMN2990UDJ
  • PDF DMN2990UDJ-7.pdf
Консультация
DMP4015SSSQ-13

DMP4015SSSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP4015SSSQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@9.8A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSSQ-13 系列 DMP4015SSSQ
  • PDF DMP4015SSSQ-13.pdf
Консультация
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A07ZTA
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07ZTA 系列 ZXMN10A07ZTA
  • PDF ZXMN10A07ZTA.pdf
Консультация
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3020LFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 700mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3020LFDB-7 系列 DMT3020LFDB
  • PDF DMT3020LFDB-7.pdf
Консультация
DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC1229UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.6A；3.8A мощность (Pd) 1.4W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,5A；37mΩ@4.5V,3.6A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC1229UFDB-7 系列 DMC1229UFDB
  • PDF DMC1229UFDB-7.pdf
Консультация
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6968UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UQ-7 系列 DMG6968UQ
  • PDF DMG6968UQ-7.pdf
Консультация
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1045UFY4-7
  • КорпусX2-DFN2015-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.5A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A корпус X2-DFN2015-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045UFY4-7 系列 DMP1045UFY4
  • PDF DMP1045UFY4-7.pdf
Консультация
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1016UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.07A；845mA мощность (Pd) 330mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1016UDW-7 系列 DMG1016UDW
  • PDF DMG1016UDW-7.pdf
Консультация
DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3025LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.5A；4.2A мощность (Pd) 1.2W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@7.4A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3025LSD-13 系列 DMC3025LSD
  • PDF DMC3025LSD-13.pdf
Консультация
DMN3731U-7

DMN3731U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3731U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 900mA мощность (Pd) 400mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3731U-7 系列 DMN3731U
  • PDF DMN3731U-7.pdf
Консультация
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6968UDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 850mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UDM-7 系列 DMG6968UDM
  • PDF DMG6968UDM-7.pdf
Консультация
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH43M8LPSQ-13
  • КорпусPower-DI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 22A；100A мощность (Pd) 2.7W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.3mΩ@20A,10V корпус Power-DI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH43M8LPSQ-13 系列 DMTH43M8LPSQ
  • PDF DMTH43M8LPSQ-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1011121314151617...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd