О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LFDB-7
  • КорпусDMN3032LFDB-7
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 1W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A корпус DMN3032LFDB-7 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LFDB-7 系列 DMN3032LFDB
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
Консультация
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A08E6TA
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@10V,4.8A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A08E6TA 系列 ZXMN6A08E6TA
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
Консультация
DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH4013SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 55A мощность (Pd) 2.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 15mΩ@10A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH4013SK3-13 系列 DMPH4013SK3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
Консультация
DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.2A мощность (Pd) 2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 48mΩ@5A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SSDQ-13 系列 DMPH6050SSDQ
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
Консультация
DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2053U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2053U-7 系列 DMN2053U
  • PDF DMN2053U-7.pdf
Консультация
ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4206A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 600mA мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206A 系列 ZVN4206A
  • PDF ZVN4206A.pdf
Консультация
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004WKQ-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004WKQ-7 系列 DMN2004WKQ
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
Консультация
DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP45H150DHE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 13.9W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150Ω@50mA,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H150DHE-13 系列 DMP45H150DHE
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
Консультация
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A11ZTA
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A11ZTA 系列 ZXMN6A11ZTA
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
Консультация
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@100uA ток 360mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,270mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LW-7 系列 DMN53D0LW
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
Консультация
DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2024U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@6.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2024U-7 系列 DMN2024U
  • PDF DMN2024U-7.pdf
Консультация
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H700S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 400mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@1.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H700S-7 系列 DMN10H700S
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
Консультация
DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6250SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.1A мощность (Pd) 1.8W；14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6250SE-13 系列 DMP6250SE
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
Консультация
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT10H015LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@250uA ток 8.3A мощность (Pd) 1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,20A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT10H015LSS-13 系列 DMT10H015LSS
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
Консультация
DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 5.3A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,5.3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LSS-13 系列 DMP3098LSS
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
Консультация
DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3731UFB4-7B
  • КорпусX2-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 520mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус X2-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3731UFB4-7B 系列 DMN3731UFB4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
Консультация
DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH4007LPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 15.5A；100A мощность (Pd) 150W；2.7W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH4007LPSQ-13 系列 DMTH4007LPSQ
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
Консультация
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0LFD-7
  • КорпусX1-DFN1212-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 310mA мощность (Pd) 480mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA корпус X1-DFN1212-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0LFD-7 系列 DMN62D0LFD
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
Консультация
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8012LPSQ-13
  • КорпусTDFN-8-Power
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 72A；10A мощность (Pd) 136W；2.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@12A,10V корпус TDFN-8-Power MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8012LPSQ-13 系列 DMTH8012LPSQ
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
Консультация
DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3021LSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 8.5A；7A мощность (Pd) 2.5W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 21mΩ@7A,10V корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3021LSD-13 系列 DMC3021LSD
  • PDF DMC3021LSD-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1314151617181920...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd