О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMC2041UFDB-7

DMC2041UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2041UFDB-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4.7A；3.2A мощность (Pd) 1.4W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@4.2A,4.5V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2041UFDB-7 系列 DMC2041UFDB
  • PDF DMC2041UFDB-7.pdf
Консультация
ZVP2106GTA

ZVP2106GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP2106GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 450mA мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP2106GTA 系列 ZVP2106GTA
  • PDF ZVP2106GTA.pdf
Консультация
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6898LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 9.5A мощность (Pd) 1.28W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@9.4A,4.5V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6898LSD-13 系列 DMG6898LSD
  • PDF DMG6898LSD-13.pdf
Консультация
DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC67D8UFDBQ-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V；20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA；2.5V@250uA ток 390mA；2.9A мощность (Pd) 580mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@500mA,10V；72mΩ@3.5A,4.5V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC67D8UFDBQ-7 系列 DMC67D8UFDBQ
  • PDF DMC67D8UFDBQ-7.pdf
Консультация
DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3028LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 860mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3028LQ-7 系列 DMN3028LQ
  • PDF DMN3028LQ-7.pdf
Консультация
DMP2240UW-7

DMP2240UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2240UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 250mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2240UW-7 系列 DMP2240UW
  • PDF DMP2240UW-7.pdf
Консультация
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 300mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LW-7 系列 DMN65D8LW
  • PDF DMN65D8LW-7.pdf
Консультация
BS107P

BS107P-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS107P
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 120mA мощность (Pd) 500mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30Ω@5V,100mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS107P 系列 BS107P
  • PDF BS107P.pdf
Консультация
DMN100-7-F

DMN100-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN100-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1.1A мощность (Pd) 500mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 240mΩ@10V,1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN100-7-F 系列 DMN100
  • PDF DMN100-7-F.pdf
Консультация
DMP2100U-7

DMP2100U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2100U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 800mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@10V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2100U-7 系列 DMP2100U
  • PDF DMP2100U-7.pdf
Консультация
DMC2020USD-13

DMC2020USD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2020USD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 7.8A；6.3A мощность (Pd) 1.8W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@7A,4.5V корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2020USD-13 系列 DMC2020USD
  • PDF DMC2020USD-13.pdf
Консультация
ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A18KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 2.15W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 55mΩ@10V,3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A18KTC 系列 ZXMP6A18KTC
  • PDF ZXMP6A18KTC.pdf
Консультация
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3033LSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,6A корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3033LSN-7 系列 DMN3033LSN
  • PDF DMN3033LSN-7.pdf
Консультация
DMC3730UFL3-7

DMC3730UFL3-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3730UFL3-7
  • КорпусX2-DFN1310-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.1A；700mA мощность (Pd) 390mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус X2-DFN1310-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3730UFL3-7 系列 DMC3730UFL3
  • PDF DMC3730UFL3-7.pdf
Консультация
ZVN4310GTA

ZVN4310GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4310GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1.67A мощность (Pd) 3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 540mΩ@10V,3.3A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4310GTA 系列 ZVN4310GTA
  • PDF ZVN4310GTA.pdf
Консультация
DMN601VK-7

DMN601VK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601VK-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 305mA мощность (Pd) 250mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601VK-7 系列 DMN601VK
  • PDF DMN601VK-7.pdf
Консультация
DMN2075U-7

DMN2075U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2075U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2075U-7 系列 DMN2075U
  • PDF DMN2075U-7.pdf
Консультация
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UDJ-7
  • КорпусSOT-963-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.05V@250uA ток 240mA мощность (Pd) 300mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус SOT-963-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UDJ-7 系列 DMN26D0UDJ
  • PDF DMN26D0UDJ-7.pdf
Консультация
DMP2130LDM-7

DMP2130LDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2130LDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3.4A мощность (Pd) 1.25W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,4.5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2130LDM-7 系列 DMP2130LDM
  • PDF DMP2130LDM-7.pdf
Консультация
DMP2225L-7

DMP2225L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2225L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 2.6A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2225L-7 系列 DMP2225L
  • PDF DMP2225L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1617181920212223...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd