О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D7L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.6V@250uA ток 580mA мощность (Pd) 430mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@420mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D7L-7 系列 DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
Консультация
DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LFG-13
  • КорпусPowerDI-3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус PowerDI-3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LFG-13 系列 DMP6023LFG
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
Консультация
DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,2.8A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UFDB-7 系列 DMP2160UFDB
  • PDF DMP2160UFDB-7.pdf
Консультация
DMC2450UV-7

DMC2450UV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2450UV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.03A；700mA мощность (Pd) 450mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 480mΩ@200mA,5V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2450UV-7 系列 DMC2450UV
  • PDF DMC2450UV-7.pdf
Консультация
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2002UPS-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 60A мощность (Pd) 2.3W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.9mΩ@10V,25A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2002UPS-13 系列 DMP2002UPS
  • PDF DMP2002UPS-13.pdf
Консультация
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A13GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 390mΩ@900mA,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A13GTA 系列 ZXMP6A13GTA
  • PDF ZXMP6A13GTA.pdf
Консультация
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SPD-13
  • КорпусPowerDI-8(5x6)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 -60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток -26A -23A мощность (Pd) 1.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 48m @ VGS = -10V 60m @ VGS = -4.5V корпус PowerDI-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SPD-13 系列 DMPH6050SPD
  • PDF DMPH6050SPD-13.pdf
Консультация
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN7022LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 75V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.8A мощность (Pd) 900mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,7.2A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN7022LFG-7 系列 DMN7022LFG
  • PDF DMN7022LFG-7.pdf
Консультация
ZVNL120A

ZVNL120A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVNL120A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,250mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVNL120A 系列 ZVNL120A
  • PDF ZVNL120A.pdf
Консультация
DMG9926USD-13

DMG9926USD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG9926USD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 8A мощность (Pd) 1.3W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,8.2A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG9926USD-13 系列 DMG9926USD
  • PDF DMG9926USD-13.pdf
Консультация
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LFB-7B
  • КорпусX1-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 430mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус X1-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LFB-7B 系列 DMN65D8LFB
  • PDF DMN65D8LFB-7B.pdf
Консультация
DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3071LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 3.3A；4.6A мощность (Pd) 700mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@3.5A,10V；95mΩ@3.8A,10V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3071LVT-7 系列 DMC3071LVT
  • PDF DMC3071LVT-7.pdf
Консультация
DMN6040SE-13

DMN6040SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@12A,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SE-13 系列 DMN6040SE
  • PDF DMN6040SE-13.pdf
Консультация
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMC3A16DN8TA
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.9A；4.1A мощность (Pd) 1.25W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMC3A16DN8TA 系列 ZXMC3A16DN8TA
  • PDF ZXMC3A16DN8TA.pdf
Консультация
DMP3130LQ-7

DMP3130LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3130LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 77mΩ@4.2A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3130LQ-7 系列 DMP3130LQ
  • PDF DMP3130LQ-7.pdf
Консультация
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D9UWQ-7
  • КорпусSOD-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 400mA мощность (Pd) 440mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@50mA,5V корпус SOD-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D9UWQ-7 系列 DMN61D9UWQ
  • PDF DMN61D9UWQ-7.pdf
Консультация
2N7002VC-7

2N7002VC-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002VC-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 280mA мощность (Pd) 150mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002VC-7 系列 2N7002VC
  • PDF 2N7002VC-7.pdf
Консультация
DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UFDBQ-7
  • КорпусDFN-6-EP(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 -20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток -3.8A -3.3A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ @ VGS = -4.5V 85mΩ @ VGS = -2.5V корпус DFN-6-EP(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UFDBQ-7 系列 DMP2160UFDBQ
  • PDF DMP2160UFDBQ-7.pdf
Консультация
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SVTQ-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SVTQ-7 系列 DMN6040SVTQ
  • PDF DMN6040SVTQ-7.pdf
Консультация
DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2008UFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 14A；54A мощность (Pd) 2.4W；41W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8mΩ@4.5V,12A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2008UFG-7 系列 DMP2008UFG
  • PDF DMP2008UFG-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1516171819202122...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd