О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZVP2110A

ZVP2110A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP2110A
  • КорпусTO-92L-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8Ω@10V,375mA корпус TO-92L-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP2110A 系列 ZVP2110A
  • PDF ZVP2110A.pdf
Консультация
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601DMK-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 510mA мощность (Pd) 700mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.4Ω@10V,200mA корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601DMK-7 系列 DMN601DMK
  • PDF DMN601DMK-7.pdf
Консультация
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN30H4D0L-13
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 310mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@300mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0L-13 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-13.pdf
Консультация
ZVN3310A

ZVN3310A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN3310A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 200mA мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@500mA,10V корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3310A 系列 ZVN3310A
  • PDF ZVN3310A.pdf
Консультация
DMN2300U-7

DMN2300U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2300U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.24A мощность (Pd) 430mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2300U-7 系列 DMN2300U
  • PDF DMN2300U-7.pdf
Консультация
BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS84DWQ-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 300mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@5V,1mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84DWQ-7 系列 BSS84DWQ
  • PDF BSS84DWQ-7.pdf
Консультация
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3730UFB4-7
  • КорпусX2-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 750mA мощность (Pd) 470mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@4.5V,200mA корпус X2-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3730UFB4-7 系列 DMN3730UFB4
  • PDF DMN3730UFB4-7.pdf
Консультация
DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 6.9A мощность (Pd) 2.5W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056LSD-13 系列 DMP3056LSD
  • PDF DMP3056LSD-13.pdf
Консультация
DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG9926UDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 980mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,8.2A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG9926UDM-7 系列 DMG9926UDM
  • PDF DMG9926UDM-7.pdf
Консультация
DMP2045UFY4-7

DMP2045UFY4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2045UFY4-7
  • КорпусX2-DFN2015-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.7A мощность (Pd) 670mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@4A,4.5V корпус X2-DFN2015-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2045UFY4-7 系列 DMP2045UFY4
  • PDF DMP2045UFY4-7.pdf
Консультация
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 360mA мощность (Pd) 310mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LDW-7 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-7.pdf
Консультация
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1013UWQ-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 820mA мощность (Pd) 310mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1013UWQ-7 系列 DMG1013UWQ
  • PDF DMG1013UWQ-7.pdf
Консультация
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN1029UFDB-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.6A мощность (Pd) 1.4W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@5A,4.5V корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1029UFDB-7 系列 DMN1029UFDB
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
Консультация
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN4A06GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5A мощность (Pd) 2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN4A06GTA 系列 ZXMN4A06GTA
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
Консультация
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP26M7UFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 18A；40A мощность (Pd) 2.3W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,15A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP26M7UFG-7 系列 DMP26M7UFG
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
Консультация
2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002DWQ-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 310mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002DWQ-7-F 系列 2N7002DWQ
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
Консультация
DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3406L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 770mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3406L-7 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-7.pdf
Консультация
DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH4008LPSQ-13
  • КорпусPowerDI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.4A；64.8A мощность (Pd) 2.99W；55.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.8mΩ@10A,10V корпус PowerDI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH4008LPSQ-13 系列 DMTH4008LPSQ
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
Консультация
DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 7.1A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056LSS-13 系列 DMP3056LSS
  • PDF DMP3056LSS-13.pdf
Консультация
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2005UFG-13
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 18.1A мощность (Pd) 1.05W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.6mΩ@4.5V,13.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2005UFG-13 系列 DMN2005UFG
  • PDF DMN2005UFG-13.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1112131415161718...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd