О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)супербарьерный выпрямитель (SBR)
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23TO-252SOT-223SO-8SOT-323SOT-23-3PowerDI3333-8SOP-8SOT-26SOT-363SOT-23-6SOT-563Power-DI-5PowerDI-123PowerDI-5SOIC-8TO-220-3TO-220AB-3DFN-6(2x2)PowerDI5060-8SOD-123FDFN2020-6SOT-363-6DFN-3(0.6x1)Power-DI-123SOD-123TO-252-2TO-263ABTO-92-3DO-214ADITO-220AB-3Power-DI-5060-8SC-59SMASMA(DO-214AC)SOD-323SOT-523SOT-523-3SOT-89U-DFN2020-6BUDFN2020-6-EPX2-DFN1006-3DFN-2(0.6x1)DFN-4(3x3)ITO-220ABPowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI5TDFN-8-PowerTO-252(DPAK)TO-263AB(D2PAK)V-DFN3333-8X1-DFN1006-3X2-DFN2015-3DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DMN3032LFDB-7PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123-2Power-DI-5-3PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8SC-70-3SOD-523SOT-223-4SOT-23FSOT-89-3SOT-963SOT-963-6TO-220TO-220-3-FPTO-220ABTO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-92TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6DV-DFN3030-8KX1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1310-6X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP3306FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 90mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP3306FTA серия ZVP3306FTA
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
Консультация
DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.3W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,7A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LSD-13 серия DMP3028LSD
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
Консультация
DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3016lSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,12A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3016lSS-13 серия DMN3016lSS
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
Консультация
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3414UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 780mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3414UQ-7 серия DMG3414UQ
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
Консультация
DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3404LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@5.8A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404LQ-7 серия DMN3404LQ
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
Консультация
DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LFDE-7
  • КорпусUDFN2020-6-EP
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 660mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус UDFN2020-6-EP MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LFDE-7 серия DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
Консультация
DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1009UFDF-7
  • КорпусUDFN2020-6-EP
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 15A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@4.5V,5A корпус UDFN2020-6-EP MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1009UFDF-7 серия DMP1009UFDF
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
Консультация
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6009LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 11A; 34A мощность (Pd) 2.08W; 19.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@10V,13.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6009LFG-7 серия DMT6009LFG
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
Консультация
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT10H010LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 68.8A мощность (Pd) 3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.8mΩ@10V,13A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT10H010LK3-13 серия DMT10H010LK3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
Консультация
DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6350SQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 720mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@900mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6350SQ-7 серия DMP6350SQ
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
Консультация
DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2104LP-7
  • КорпусX1-DFN1411-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 500mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,900mA корпус X1-DFN1411-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2104LP-7 серия DMP2104LP
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
Консультация
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D1SFB-7B
  • КорпусX1-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 410mA мощность (Pd) 470mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.4Ω@40mA,10V корпус X1-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D1SFB-7B серия DMN62D1SFB
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
Консультация
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,2.4A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A17GTA серия ZXMP10A17GTA
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
Консультация
DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC4040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC4040SSD-13 серия DMC4040SSD
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
Консультация
ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4424GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODES категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)серия ZVN4424GTA тип монтажа SMT корпус SOT-223 пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 500mA мощность (Pd) 2.5W допустимое напряжение 240V сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.5Ω@10V,500mA канал N
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
Консультация
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2990UFA-7B
  • КорпусXFDFN-3(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 510mA мощность (Pd) 400mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA корпус XFDFN-3(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2990UFA-7B серия DMN2990UFA
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
Консультация
DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004VK-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 530mA мощность (Pd) 400mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004VK-7 серия DMP2004VK
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
Консультация
DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2130L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@4.5V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2130L-7 серия DMP2130L
  • PDF DMP2130L-7.pdf
Консультация
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6010LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 13A; 30A мощность (Pd) 2.2W; 41W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6010LFG-7 серия DMT6010LFG
  • PDF DMT6010LFG-7.pdf
Консультация
DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3130L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 77mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3130L-7 серия DMP3130L
  • PDF DMP3130L-7.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1213141516171819...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd