О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Категория：
супербарьерный выпрямитель (SBR)MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-12(4.5x5)DFN-2(0.6x1)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.1x1.4)DFN-3(1.5x2)DFN-4(3x3)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN2020-6DMN3032LFDB-7DO-214ADITO-220ABITO-220AB-3PDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.3x3.3)Power-DI-123Power-DI-123-2Power-DI-5Power-DI-5-3Power-DI-5060-8PowerDI-123PowerDI-3333-8PowerDI-5PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5PowerDI5060-8SC-59SC-70-3SMASMA(DO-214AC)SO-8SOD-123SOD-123FSOD-323SOD-523SOIC-8SOP-8SOT-223SOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-6SOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3-FPTO-220ABTO-220AB-3TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2TO-263ABTO-263AB(D2PAK)TO-92TO-92-3TO-92LTO-92L-3TSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8X1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH10H1M7STLW-13
  • КорпусPowerDI1012-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 250A мощность (Pd) 6W；250W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2mΩ корпус PowerDI1012-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH10H1M7STLW-13 系列 DMTH10H1M7STLW
  • PDF DMTH10H1M7STLW-13.pdf
Консультация
DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3020LSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 16A мощность (Pd) 1W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3020LSDQ-13 系列 DMT3020LSDQ
  • PDF DMT3020LSDQ-13.pdf
Консультация
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004DWK-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004DWK-7 系列 DMN2004DWK
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
Консультация
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 320mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UDW-7 系列 DMN62D0UDW
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
Консультация
DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SSDQ-13 系列 DMN6040SSDQ
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
Консультация
2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002AQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002AQ-7 系列 2N7002AQ
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
Консультация
ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N03F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03F 系列 ZXM61N03F
  • PDF ZXM61N03F.pdf
Консультация
DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2053UVTQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.6A；3.2A мощность (Pd) 700mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5V；74mΩ@3.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2053UVTQ-7 系列 DMC2053UVTQ
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
Консультация
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D8LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 470mA мощность (Pd) 390mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@150mA,5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D8LQ-7 系列 DMN61D8LQ
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
Консультация
BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS127SSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 70mA мощность (Pd) 610mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,16mA корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS127SSN-7 系列 BSS127SSN
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
Консультация
DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3007SCGQ-7
  • КорпусV-DFN3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.8mΩ@11.5A,10V корпус V-DFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3007SCGQ-7 系列 DMP3007SCGQ
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
Консультация
DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004WK-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 400mA мощность (Pd) 250mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@430mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004WK-7 系列 DMP2004WK
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
Консультация
DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3050LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.5A мощность (Pd) 1.8W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3050LVT-7 系列 DMP3050LVT
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
Консультация
DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2075UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 700mW канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 75mΩ@2.9A,4.5V корпус U-DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2075UFDB-7 系列 DMP2075UFDB
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
Консультация
DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6023SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 35A мощность (Pd) 3.2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6023SK3Q-13 系列 DMPH6023SK3Q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
Консультация
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8012LPSW-13
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 53.7A мощность (Pd) 3.1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8012LPSW-13 系列 DMTH8012LPSW
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
Консультация
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2016UTS-13
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 8.58A мощность (Pd) 880mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14.5mΩ@4.5V,9.4A корпус TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2016UTS-13 系列 DMN2016UTS
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
Консультация
DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2070UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 830mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@2A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2070UQ-7 系列 DMP2070UQ
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
Консультация
DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D0U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 530mA мощность (Pd) 450mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@400mA,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D0U-7 系列 DMP31D0U
  • PDF DMP31D0U-7.pdf
Консультация
ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP3A17E6TA
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.2A мощность (Pd) 1.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.2A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A17E6TA 系列 ZXMP3A17E6TA
  • PDF ZXMP3A17E6TA.pdf
Консультация
Всего записей: 528«Предыдущая1... 1718192021222324...27Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd