О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
14N65L-ML-TF3-T

14N65L-ML-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 14A 功率(Pd) 52W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.65 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 14N65L-ML-TF3-T 系列 14N65L
  • PDF 14N65L-ML-TF3-T.pdf
Консультация
UF840KG-TN3-R

UF840KG-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF840KG-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd) 107W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 870mΩ@10V,4.4A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UF840KG-TN3-R 系列 UF840KG
  • PDF UF840KG-TN3-R.pdf
Консультация
2N65L-TM3-T

2N65L-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N65L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 电流 2A 功率(Pd) 45W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 2N65L-TM3-T 系列 2N65L
  • PDF 2N65L-TM3-T.pdf
Консультация
UT9564G-SO8-R

UT9564G-SO8-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT9564G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 7.3A 功率(Pd) 2.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,7A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT9564G-SO8-R 系列 UT9564G
  • PDF UT9564G-SO8-R.pdf
Консультация
UT20N03L-TN3-R

UT20N03L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT20N03L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@25uA 电流 20A 功率(Pd) 60W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,15A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT20N03L-TN3-R 系列 UT20N03L
  • PDF UT20N03L-TN3-R.pdf
Консультация
8N80L-TF1-T

8N80L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель8N80L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA 电流 8A 功率(Pd) 59W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.45Ω@10V,4A 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 8N80L-TF1-T 系列 8N80L
  • PDF 8N80L-TF1-T.pdf
Консультация
UF740L-TA3-T

UF740L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF740L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 400V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 125W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@10V,5.2A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UF740L-TA3-T 系列 UF740L
  • PDF UF740L-TA3-T.pdf
Консультация
4N65KG-TN3-R

4N65KG-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65KG-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 4A 功率(Pd) 50W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N65KG-TN3-R 系列 4N65KG
  • PDF 4N65KG-TN3-R.pdf
Консультация
4N70KL-MT-TF1-T

4N70KL-MT-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N70KL-MT-TF1-T
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 4.4A 功率(Pd) 36W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.2Ω@10V,2.2A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N70KL-MT-TF1-T 系列 4N70KL
  • PDF 4N70KL-MT-TF1-T.pdf
Консультация
1N65G-AA3-R

1N65G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N65G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 8W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12.5Ω@10V,600mA 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 1N65G-AA3-R 系列 1N65G
  • PDF 1N65G-AA3-R.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 56789101112...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd