О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMG1012T-7

DMG1012T-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG1012T-7
  • КорпусSOT-523-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 630mA 功率(Pd) 280mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@4.5V,600mA 封装 SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG1012T-7 系列 DMG1012T
  • PDF DMG1012T-7.pdf
Консультация
DMP3099L-7

DMP3099L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3099L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3099L-7 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-7.pdf
Консультация
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A13FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 625mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,600mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES ZXMP10A13FTA 系列 ZXMP10A13F
  • PDF ZXMP10A13FTA.pdf
Консультация
BSS138-7-F

BSS138-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS138-7-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-7-F.pdf
Консультация
BSS123-7-F

BSS123-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS123-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 300mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS123-7-F 系列 BSS123
  • PDF BSS123-7-F.pdf
Консультация
DMG3415U-7

DMG3415U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3415U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 900mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG3415U-7 系列 DMG3415U
  • PDF DMG3415U-7.pdf
Консультация
DMG2302UK-7

DMG2302UK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG2302UK-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2302UK-7 系列 DMG2302UK
  • PDF DMG2302UK-7.pdf
Консультация
DMP3056L-7

DMP3056L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3056L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 1.38W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP3056L-7 系列 DMP3056L
  • PDF DMP3056L-7.pdf
Консультация
2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002DW-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES 2N7002DW-7-F 系列 2N7002DW
  • PDF 2N7002DW-7-F.pdf
Консультация
BSS138W-7-F

BSS138W-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138W-7-F
  • КорпусSC-70-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SC-70-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES BSS138W-7-F 系列 BSS138W
  • PDF BSS138W-7-F.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 89101112131415...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd