О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
10N65L-TC-TF1-T

10N65L-TC-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель10N65L-TC-TF1-T
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-TC-TF1-T серия 10N65L
  • PDF 10N65L-TC-TF1-T.pdf
Консультация
10N65L-ML-TF1-T

10N65L-ML-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель10N65L-ML-TF1-T
  • КорпусTO-220F-1
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-ML-TF1-T серия 10N65L
  • PDF 10N65L-ML-TF1-T.pdf
Консультация
14N50L-TQ2-R

14N50L-TQ2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N50L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TQ2-R серия 14N50L
  • PDF 14N50L-TQ2-R.pdf
Консультация
14N50L-TF3-T

14N50L-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N50L-TF3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TF3-T серия 14N50L
  • PDF 14N50L-TF3-T.pdf
Консультация
1N60L-T92-K

1N60L-T92-K-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-T92-K
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 1W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-K серия 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-K.pdf
Консультация
1N60G-AA3-R

1N60G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 8W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60G-AA3-R серия 1N60L
  • PDF 1N60G-AA3-R.pdf
Консультация
1N60L-TN3-R

1N60L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-TN3-R серия 1N60L
  • PDF 1N60L-TN3-R.pdf
Консультация
1N60L-T92-B

1N60L-T92-B-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-T92-B
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-B серия 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-B.pdf
Консультация
UT3404G-AE3-R

UT3404G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3404G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3404G-AE3-R серия UT3404G
  • PDF UT3404G-AE3-R.pdf
Консультация
UTM2054G-AB3-R

UTM2054G-AB3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTM2054G-AB3-R
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.47W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTM2054G-AB3-R серия UTM2054G
  • PDF UTM2054G-AB3-R.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая12345678...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd