О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
7N70G-TC-TN3-R

7N70G-TC-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N70G-TC-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 57W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 1.7 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N70G-TC-TN3-R серия 7N70G
  • PDF 7N70G-TC-TN3-R.pdf
Консультация
50N06L-TA3-T

50N06L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель50N06L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 50A мощность (Pd) 120W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,25A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 50N06L-TA3-T серия 50N06L
  • PDF 50N06L-TA3-T.pdf
Консультация
12N80L-T47-T

12N80L-T47-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12N80L-T47-T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 12A мощность (Pd) 360W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,6A корпус  TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N80L-T47-T серия 12N80L
  • PDF 12N80L-T47-T.pdf
Консультация
12N70L-TF1-T

12N70L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12N70L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 12A мощность (Pd) 36W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.9Ω @ VGS=10V, ID=6.0A корпус  TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N70L-TF1-T серия 12N70L
  • PDF 12N70L-TF1-T.pdf
Консультация
2N65G-TM3-T

2N65G-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N65G-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) ток 2A мощность (Pd) 45W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65G-TM3-T серия 2N65G
  • PDF 2N65G-TM3-T.pdf
Консультация
4N60KG-TM3-T

4N60KG-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N60KG-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω @VGS = 10 V корпус  TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N60KG-TM3-T серия 4N60KG
  • PDF 4N60KG-TM3-T.pdf
Консультация
UTD408L-TN3-R

UTD408L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTD408L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 18A мощность (Pd) 2.5W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 18mΩ@10V,18A корпус  TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTD408L-TN3-R серия UTD408L
  • PDF UTD408L-TN3-R.pdf
Консультация
7N65L-TQ2-R

7N65L-TQ2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N65L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 7.4A мощность (Pd) 142W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@10V,3.7A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-TQ2-R серия 7N65L
  • PDF 7N65L-TQ2-R.pdf
Консультация
4N65L-Q-TMS-T

4N65L-Q-TMS-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-Q-TMS-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.1 Ω @ VGS=10V, ID=2.2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-Q-TMS-T серия 4N65L
  • PDF 4N65L-Q-TMS-T.pdf
Консультация
12N65L-TF1-T

12N65L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12N65L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 12A мощность (Pd) 51W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.85 Ω @ VGS = 10V, ID = 6.0A корпус TO-220F1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N65L-TF1-T серия 12N65L
  • PDF 12N65L-TF1-T.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 678910111213...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd