Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 18A мощность (Pd) 104W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.33 Ω @ VGS=10V, ID=9.0A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 18NM65L-TA3-T серия 18NM65
Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 7A мощность (Pd) 52W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.5Ω@10V,2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N80L-TF2-T серия 7N80L
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 35W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-ML-TF3-T серия 7N65L
Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) < 4.2Ω @VGS = 10 V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N80L-TN3-R серия 3N80L
Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4.4A мощность (Pd) 36W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,2.2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N70L-TF1-T серия 4N70L 4N70L-TF1-T
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 2.5Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65KG-TC-TN3-R серия 4N65KG
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 21W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65KL-MT-TF3-T серия 2N65KL
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 25A мощность (Pd) 50W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@10V,25A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTT25P10L-TN3-R серия UTT25P10L
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 115mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002-7-F серия 2N7002
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002K-7 серия 2N7002K