О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
2N80L-TN3-R

2N80L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 24W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A 封装  TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 2N80L-TN3-R 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TN3-R.pdf
Консультация
2N80L-TF1-T

2N80L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N80L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 24W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 2N80L-TF1-T 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TF1-T.pdf
Консультация
05N30G-AE3-R

05N30G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель05N30G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 0.5A 功率(Pd) 0.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=0.25A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 05N30G-AE3-R 系列 05N30G
  • PDF 05N30G-AE3-R.pdf
Консультация
3N100G-TN3-R

3N100G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель3N100G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 1000V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 3A 功率(Pd) 50W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.5Ω @ VGS=10V, ID=1.5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 3N100G-TN3-R 系列 3N100G
  • PDF 3N100G-TN3-R.pdf
Консультация
UT2301G-AE2-R

UT2301G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2301G-AE2-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 450mV@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 1.14W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT2301G-AE2-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE2-R.pdf
Консультация
UT2301G-AE3-R

UT2301G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2301G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 450mV@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 1.14W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT2301G-AE3-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE3-R.pdf
Консультация
UT3401G-AE3-R

UT3401G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3401G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT3401G-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401G-AE3-R.pdf
Консультация
UT3401ZG-AE3-R

UT3401ZG-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3401ZG-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT3401ZG-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401ZG-AE3-R.pdf
Консультация
4N65L-ML-TF3-T

4N65L-ML-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 4A 功率(Pd) 32W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.6 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N65L-ML-TF3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-ML-TF3-T.pdf
Консультация
4N65L-Q-TM3-T

4N65L-Q-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-Q-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 50W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.5Ω@10V,2.2A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N65L-Q-TM3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-Q-TM3-T.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая123456789...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd