О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
3N90L-TN3-R

3N90L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель3N90L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 3A 功率(Pd) 90W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 3N90L-TN3-R 系列 3N90L
  • PDF 3N90L-TN3-R.pdf
Консультация
UT3400G-AE3-R

UT3400G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3400G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 5.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT3400G-AE3-R 系列 UT3400G
  • PDF UT3400G-AE3-R.pdf
Консультация
30N06-TN3-R

30N06-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель30N06-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 46W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,15A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 30N06-TN3-R 系列 30N06
  • PDF 30N06-TN3-R.pdf
Консультация
2N60G-CB-AA3-R

2N60G-CB-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60G-CB-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 44W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A 封装  SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 2N60G-CB-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-CB-AA3-R.pdf
Консультация
7N65KL-TN3-R

7N65KL-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N65KL-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA 电流 7A 功率(Pd) 55W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,3.5A 封装  TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 7N65KL-TN3-R 系列 7N65
  • PDF 7N65KL-TN3-R.pdf
Консультация
4N90CL-TF3-T

4N90CL-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N90CL-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 4.0A 功率(Pd) 28W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.5 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A 封装  SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N90CL-TF3-T 系列 4N90CL
  • PDF 4N90CL-TF3-T.pdf
Консультация
UT8205AG-P08-R

UT8205AG-P08-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT8205AG-P08-R
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A 封装   TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC UT8205AG-P08-R 系列 UT8205AG
  • PDF UT8205AG-P08-R.pdf
Консультация
7N65L-TN3-R

7N65L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N65L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 7A 功率(Pd) 48W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A 封装  TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 7N65L-TN3-R 系列 7N65L
  • PDF 7N65L-TN3-R.pdf
Консультация
2N60G-LC1-AA3-R

2N60G-LC1-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60G-LC1-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 2A 功率(Pd) 2.3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 2N60G-LC1-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-LC1-AA3-R.pdf
Консультация
4N60G-TN3-R

4N60G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N60G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - 电流 4A 功率(Pd) 50W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC 4N60G-TN3-R 系列 4N60G
  • PDF 4N60G-TN3-R.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4567891011...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd