О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE80H12

NCE80H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 80V пороговое напряжение 4V@250uA ток 120A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 6mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80H12
  • PDF NCE80H12.pdf
Консультация
NCE3416

NCE3416-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3416
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 27mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3416
  • PDF NCE3416.pdf
Консультация
NCE3007S

NCE3007S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3007S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 42mΩ@10V,6.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3007S
  • PDF NCE3007S.pdf
Консультация
NCE55P30K

NCE55P30K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 55V пороговое напряжение 4V@250uA ток 30A мощность (Pd)  65W канал P сопротивление в открытом состоянии 40mΩ@10V,15A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30K
  • PDF NCE55P30K.pdf
Консультация
NCE3095K

NCE3095K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3095K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 95A мощность (Pd)  95W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3095K
  • PDF NCE3095K.pdf
Консультация
NCEP035N85GU

NCEP035N85GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N85GU
  • КорпусDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N85GU
  • PDF NCEP035N85GU.pdf
Консультация
NCE3400AY

NCE3400AY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400AY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 27mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400AY
  • PDF NCE3400AY.pdf
Консультация
NCE65TF180D

NCE65TF180D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180D
  • PDF NCE65TF180D.pdf
Консультация
NCE40P20Q

NCE40P20Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P20Q
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  30W канал P сопротивление в открытом состоянии 18mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P20Q
  • PDF NCE40P20Q.pdf
Консультация
NCE65T360K

NCE65T360K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 360mΩ@10V,7A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360K
  • PDF NCE65T360K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6263646566676869...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd