О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE82H140D

NCE82H140D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H140D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 140A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H140D
  • PDF NCE82H140D.pdf
Консультация
NCE30H10K

NCE30H10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H10K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 100A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10K
  • PDF NCE30H10K.pdf
Консультация
NCE603S

NCE603S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE603S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток N,6.3A-P,6A мощность (Pd)  2W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 26mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE603S
  • PDF NCE603S.pdf
Консультация
NCE3020Q

NCE3020Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3020Q
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  20W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3020Q
  • PDF NCE3020Q.pdf
Консультация
NCE2301

NCE2301-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2301
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1W канал P сопротивление в открытом состоянии 110mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2301
  • PDF NCE2301.pdf
Консультация
NCE65T540K

NCE65T540K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540K
  • PDF NCE65T540K.pdf
Консультация
NCE3415

NCE3415-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3415
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 20V пороговое напряжение 900mV@250uA ток 4A мощность (Pd)  1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии 45mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3415
  • PDF NCE3415.pdf
Консультация
NCE65TF099

NCE65TF099-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF099
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 38A мощность (Pd)  322W канал N сопротивление в открытом состоянии 89mΩ@10V,19A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099
  • PDF NCE65TF099.pdf
Консультация
NCE15P25JK

NCE15P25JK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE15P25JK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 25A мощность (Pd)  160W канал P сопротивление в открытом состоянии 150mΩ @ VGS=-10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE15P25JK
  • PDF NCE15P25JK.pdf
Консультация
NCE20P45Q

NCE20P45Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE20P45Q
  • КорпусDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 19V пороговое напряжение 1V@250uA ток 45A мощность (Pd)  80W канал P сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@4.5V,20A корпус DFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P45Q
  • PDF NCE20P45Q.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6162636465666768...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd