О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP0160AG

NCEP0160AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0160AG
  • КорпусDFN(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 60A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.2mΩ@10V,30A корпус DFN(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0160AG
  • PDF NCEP0160AG.pdf
Консультация
NCE2060K

NCE2060K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2060K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 60A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 6mΩ@4.5V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2060K
  • PDF NCE2060K.pdf
Консультация
NCE80T320F

NCE80T320F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80T320F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80T320F
  • PDF NCE80T320F.pdf
Консультация
NCE3407AY

NCE3407AY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3407AY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 4.3A мощность (Pd)  1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 52mΩ@10V,4A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3407AY
  • PDF NCE3407AY.pdf
Консультация
NCEP6080AG

NCEP6080AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6080AG
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,40A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6080AG
  • PDF NCEP6080AG.pdf
Консультация
NCEP023N10LL

NCEP023N10LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 300A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.7mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10LL
  • PDF NCEP023N10LL.pdf
Консультация
NCE60P45K

NCE60P45K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P45K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.6V@250uA ток 45A мощность (Pd)  110W канал P сопротивление в открытом состоянии 31mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P45K
  • PDF NCE60P45K.pdf
Консультация
NCE30P12S

NCE30P12S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P12S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал P сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,10A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P12S
  • PDF NCE30P12S.pdf
Консультация
NCE3018AS

NCE3018AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3018AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 18A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,12A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3018AS
  • PDF NCE3018AS.pdf
Консультация
NCE30P50G

NCE30P50G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P50G
  • КорпусPDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 50A мощность (Pd)  35W канал P сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P50G
  • PDF NCE30P50G.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6061626364656667...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd